陛通半导体设备(苏州)有限公司忻圣波获国家专利权
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龙图腾网获悉陛通半导体设备(苏州)有限公司申请的专利可减少颗粒污染的薄膜沉积设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223974196U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520539407.5，技术领域涉及：C23C16/455；该实用新型可减少颗粒污染的薄膜沉积设备是由忻圣波;封拥军;宋维聪;李文涛设计研发完成，并于2025-03-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本可减少颗粒污染的薄膜沉积设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种可减少颗粒污染的薄膜沉积设备，其包括沉积腔体、远程等离子体装置、清洁气体源、反应气体源及排气泵；所述沉积腔体通过排气管路与排气泵连通，沉积腔体为执行沉积工艺的空间；所述远程等离子体装置与清洁气体源连通，且通过第一清洁气体管路与沉积腔体连通；反应气体源通过反应气体管路与沉积腔体连通，其中，第一清洁气体管路与反应气体管路各自独立连接至沉积腔体的不同位置，且反应气体源通过第二清洁气体管路与反应气体管路直接连通，以及远程等离子体装置通过第三清洁气体管路与排气管路直接连通。通过这样的优化设计，有助于减少沉积腔体的颗粒污染，提高薄膜沉积良率和效率。
本实用新型可减少颗粒污染的薄膜沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种可减少颗粒污染的薄膜沉积设备，其特征在于，所述薄膜沉积设备包括沉积腔体、远程等离子体装置、清洁气体源、反应气体源及排气泵；所述沉积腔体通过排气管路与排气泵连通，沉积腔体为执行沉积工艺的空间；所述远程等离子体装置与清洁气体源连通，且通过第一清洁气体管路与沉积腔体连通；反应气体源通过反应气体管路与沉积腔体连通，其中，第一清洁气体管路与反应气体管路各自独立连接至沉积腔体的不同位置，且反应气体源通过第二清洁气体管路与反应气体管路直接连通，以及远程等离子体装置通过第三清洁气体管路与排气管路直接连通。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人陛通半导体设备(苏州)有限公司，其通讯地址为：215413 江苏省苏州市太仓市大连东路36号3#1-2层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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