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散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所罗万居获国家专利权

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龙图腾网获悉散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所申请的专利一种中子散射样品环境装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223977145U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202520192002.9,技术领域涉及:G01N23/20008;该实用新型一种中子散射样品环境装置是由罗万居;钟文彬;胡海韬;袁宝;白波;叶凡;程辉;窦蒙家;黄志强;林权;梁文东;罗鸿彬;卢梓聪;童欣设计研发完成,并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。

一种中子散射样品环境装置在说明书摘要公布了:本实用新型涉及中子散射技术领域,具体涉及一种中子散射样品环境装置。中子散射样品环境装置包括第一容器、第二容器和连接件,第一容器和第二容器设置有内腔,内腔用于填充顺磁性材料,第一容器、第二容器分别用于设置在样品管的第一端、第二端,并具有与样品管接触以传热的导热面;连接件连接在第一容器和第二容器之间,以装夹固定样品管。据上述实施例的中子散射样品环境装置,容器具有容纳顺磁性材料的内腔,两个容器分别位于样品管的两端并将样品管装夹固定,容器与样品管接触充分有利于热量传导;将装置整体放入超导磁体中,通过对顺磁性材料进行磁化和退磁,能够为样品管中的样品提供超低温的环境。

本实用新型一种中子散射样品环境装置在权利要求书中公布了:1.一种中子散射样品环境装置,其特征在于,包括: 第一容器和第二容器,所述第一容器和所述第二容器设置有内腔,所述内腔用于填充顺磁性材料,所述第一容器、所述第二容器分别用于设置在样品管的第一端、第二端,并具有与所述样品管接触以传热的导热面; 连接件,所述连接件连接在所述第一容器和所述第二容器之间,以使所述第一容器和所述第二容器装夹固定所述样品管。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所,其通讯地址为:523808 广东省东莞市松山湖园区中子源路1号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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