台湾积体电路制造股份有限公司王屏薇获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构以及静态随机存取内存单元获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223978975U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423134966.2，技术领域涉及：H10B10/00；该实用新型半导体结构以及静态随机存取内存单元是由王屏薇;陈瑞麟设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构以及静态随机存取内存单元在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体结构以及静态随机存取内存单元，半导体结构包括：主动区，其包括通道层堆叠；金属栅极结构，设置在通道层堆叠上方；源极漏极结构，设置在主动区的源极漏极区上方并且邻近通道层堆叠以及背侧通孔，其从主动区的背侧穿透并延伸以接触通道层堆叠的通道层。背侧通孔透过通道层堆叠的通道层电连接到源极漏极结构并且接触金属栅极结构。
本实用新型半导体结构以及静态随机存取内存单元在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 主动区，包括通道层堆叠； 金属栅极结构，设置在所述通道层堆叠上方； 源极漏极结构，设置在所述主动区的源极漏极区上方，并且邻近所述通道层堆叠；以及 背侧通孔，从所述主动区的背侧穿透并延伸以接触所述通道层堆叠的通道层， 其中所述背侧通孔透过所述通道层堆叠的所述通道层电连接至所述源极漏极结构，并接触所述金属栅极结构。
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