台湾积体电路制造股份有限公司伊莎达泰获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223979094U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423084164.5，技术领域涉及：H10W20/43；该实用新型半导体结构是由伊莎达泰;山姆瓦泽里;鲍新宇设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型的实施例提供一种半导体结构包括设置在第一半导体衬底上方的第一内连线结构、嵌入在第一内连线结构中并感测半导体结构中的温度变化的多个热传感器以及设置在第一内连线结构上并电性耦合到第一内连线结构的第一接合结构。热传感器与第一内连线结构的导电特征和第一接合结构的导电特征电性隔离。热传感器布置在半导体结构的第一内连线结构中以增加热传感装置的精确度并建立半导体结构的三维温度分布图，从而实现精确的温度感测。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 第一内连线结构，设置在第一半导体衬底上方； 多个热传感器，嵌入在所述第一内连线结构中并传感所述半导体结构中的温度变化；以及 第一接合结构，设置在所述第一内连线结构上并电性耦合到所述第一内连线结构，所述热传感器与所述第一内连线结构的导电特征和所述第一接合结构的导电特征电性隔离。
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