台湾积体电路制造股份有限公司陈鑫封获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路封装件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223979111U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-06发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520040308.2，技术领域涉及：H10W70/62；该实用新型集成电路封装件是由陈鑫封;文克刚;萧琮介;王良玮;吴於贝设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路封装件在说明书摘要公布了：本实用新型实施例的各种实施例涉及一种封装件，封装件包括第一管芯以及第二管芯。第一管芯包括在第一半导体衬底的第一侧上的第一内连线结构，第一内连线结构包括多个第一介电层、第二介电层以及介电衬层。第一导电垫设置成延伸穿过介电衬层和第二介电层，且第一衬底穿孔设置成延伸穿过多个第一介电层和第一半导体衬底。介电衬层还设置于第一衬底穿孔的侧壁上。第二管芯在第一管芯上方并接合至第一管芯。第二管芯包括第一接合层以及第一接合垫。第一接合层在第二半导体衬底上方。第一接合垫设置在第一接合层中。第二管芯的第一接合层与介电衬层之间的接合是氧化物到氧化物接合，且第二管芯的第一接合垫和第一导电垫之间的接合是金属到金属接合。
本实用新型集成电路封装件在权利要求书中公布了：1.一种封装件，其特征是，包括： 第一管芯，包括在第一半导体衬底的第一侧上的第一内连线结构，所述第一内连线结构包括： 多个第一介电层； 第二介电层，在所述多个第一介电层上方； 介电衬层，在所述第二介电层上方，其中第一导电垫设置成延伸穿过所述介电衬层和所述第二介电层，且第一衬底穿孔设置成延伸穿过所述多个第一介电层和所述第一半导体衬底，其中所述介电衬层还设置于所述第一衬底穿孔的侧壁上，且其中所述第一衬底穿孔和所述第一导电垫物理接触； 第二管芯，在所述第一管芯上方并接合至所述第一管芯，所述第二管芯包括： 第一接合层，在第二半导体衬底上方；以及 第一接合垫，设置在所述第一接合层中，其中所述第二管芯的所述第一接合层与所述介电衬层之间的接合是氧化物到氧化物接合，且所述第二管芯的所述第一接合垫和所述第一导电垫之间的接合是金属到金属接合。
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