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龙图腾网获悉桂林智工科技有限责任公司;桂林电子科技大学申请的专利基于压电单元的三维力感知阵列传感器及压力解算方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111157151B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010143111.3，技术领域涉及：G01L1/16；该发明授权基于压电单元的三维力感知阵列传感器及压力解算方法是由徐晋勇;莫鞠忠;覃国贺设计研发完成，并于2020-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于压电单元的三维力感知阵列传感器及压力解算方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于压电单元的三维力感知阵列传感器及压力解算方法，基于压电单元的三维力感知阵列传感器包括多个传感单元，传感单元包括硅基底、电极、导电层、压电纤维柱和绝缘层。电极的数量为四个且电极与硅基底连接，并位于硅基底的一侧，导电层位于电极远离硅基底的一侧，且连接负极，压电纤维柱的数量为四个，四个压电纤维柱与电极和导电层电连接，并垂直于电极和导电层之间，且位于靠近导电层边缘的一侧，绝缘层与导电层连接，并位于导电层远离四个压电纤维柱的一侧，多个传感单元沿以导电层中心点为原点建立的直角坐标系的X轴和Y轴阵列排列。实现对大面积三维力空间高分辨率、高精度的三维感知、结构简单、灵敏度高。

本发明授权基于压电单元的三维力感知阵列传感器及压力解算方法在权利要求书中公布了：1.一种基于压电单元的三维力感知阵列传感器，其特征在于， 包括多个传感单元，所述传感单元包括硅基底、电极、导电层、压电纤维柱和绝缘层，所述电极与所述硅基底连接，并位于所述硅基底的一侧，所述导电层位于所述电极远离所述硅基底的一侧，且连接负极，所述压电纤维柱和所述电极的数量均为四个，四个所述压电纤维柱与四个所述电极和所述导电层电连接，并垂直于所述电极和所述导电层之间，且位于靠近所述导电层边缘的一侧，所述绝缘层与所述导电层连接，并位于所述导电层远离四个所述压电纤维柱的一侧，多个所述传感单元沿以所述导电层中心点为原点建立的直角坐标系的X轴和Y轴阵列排列； 所述压电纤维柱的高度为10-20mm，直径为0.1-0.2mm； 四个所述压电纤维柱的中心点与所述导电层的中心点连线均相等； 所述导电层和所述绝缘层的横截面积均为正方形，边长均为10mm，所述导电层的厚度为0.5mm，所述绝缘层的厚度为0.1mm； 当外界有压力施加到压力传感器的所述绝缘层上时，引起四个所述压电纤维柱变形，压电纤维沿轴向极化。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人桂林智工科技有限责任公司;桂林电子科技大学，其通讯地址为：541004 广西壮族自治区桂林市七星区铁山工业园Z-7-1号C地块；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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