三星电子株式会社任琫淳获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111244105B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911191924.3，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权三维半导体存储器装置是由任琫淳;南尚完;朴相元;沈相元;全哄秀;崔容赫设计研发完成，并于2019-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器装置在说明书摘要公布了：一种三维半导体存储器装置可以包括：第一堆叠结构块，其包括在衬底上沿第一方向布置的第一堆叠结构；第二堆叠结构块，其包括在衬底上沿第一方向布置的第二堆叠结构；分离结构，其设置在衬底上，位于第一堆叠结构块和第二堆叠结构块之间，并且包括且第一模塑层和第二模塑层；和接触插塞，其穿透分离结构。接触插塞的底表面可以与衬底接触。
本发明授权三维半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器装置，包括： 第一堆叠结构块，其包括在衬底上沿第一方向并排布置的第一堆叠结构； 第二堆叠结构块，其包括在所述衬底上沿所述第一方向并排布置的第二堆叠结构； 分离结构，其设置在所述衬底上，并且包括模塑结构，所述模塑结构包括沿竖直方向交替且重复地堆叠的第一模塑层和第二模塑层；和 接触插塞，其穿透所述分离结构， 其中，所述接触插塞的底表面与所述衬底接触， 其中，所述第一堆叠结构块具有与所述分离结构接触的第一端部的第一侧壁，所述第二堆叠结构块具有与所述分离结构接触的第一端部的第一侧壁，所述第一堆叠结构块的第一端部和所述第二堆叠结构块的第一端部是平坦的并且竖直地延伸，所述模塑结构位于所述第一堆叠结构块的第一端部与所述第二堆叠结构块的第一端部之间， 其中，所述第一堆叠结构块具有与所述分离结构间隔开的第二端部，所述第二堆叠结构块具有与所述分离结构间隔开的第二端部，并且所述第一堆叠结构块和所述第二堆叠结构块的第二端部具有阶梯结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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