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龙图腾网获悉豪威科技股份有限公司申请的专利飞行时间像素中的三栅极电荷转移块结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112289817B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010716450.6，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权飞行时间像素中的三栅极电荷转移块结构是由崔雲;真锅宗平设计研发完成，并于2020-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本飞行时间像素中的三栅极电荷转移块结构在说明书摘要公布了：本申请涉及飞行时间像素中的三栅极电荷转移块结构。像素电路包含在半导体材料中的光电二极管，以响应于入射光而累积图像电荷。三栅极电荷转移块被耦合包含所述半导体材料的单个共享沟道区。转移栅极、快门栅极和开关栅极被设置为接近所述单个共享沟道区。所述转移栅极响应于转移信号将所述光电二极管中累积的图像电荷转移到所述单个共享沟道区。所述快门栅极响应于快门信号将所述单个共享沟道区中的所述图像电荷转移到所述半导体材料中的浮动扩散部。所述开关栅极被配置成响应于开关信号将所述单个共享沟道区耦合到所述半导体材料中的电荷存储结构。

本发明授权飞行时间像素中的三栅极电荷转移块结构在权利要求书中公布了：1.一种像素电路，其包括： 光电二极管，其设置在半导体材料层中，以响应于入射到所述光电二极管上的光累积图像电荷； 第一三栅极电荷转移块，其耦合到所述光电二极管，其中所述第一三栅极电荷转移块包括： 第一单个共享沟道区，其被设置在所述半导体材料层中； 第一转移栅极，其被设置为接近所述第一单个共享沟道区，其中所述第一转移栅极被配置成响应于第一转移信号将所述光电二极管中累积的所述图像电荷转移到所述第一单个共享沟道区； 第一快门栅极，其被设置为接近所述第一单个共享沟道区，其中所述第一快门栅极被配置成响应于第一快门信号将所述第一单个共享沟道区中的所述图像电荷转移到设置在所述半导体材料层中的第一浮动扩散部；以及 第一开关栅极，其被设置为接近所述第一单个共享沟道区，其中所述第一开关栅极被配置成响应于第一开关信号将所述第一单个共享沟道区耦合到设置在所述半导体材料层中的第一电荷存储结构；以及 第二三栅极电荷转移块，其耦合到所述光电二极管，其中所述第二三栅极电荷转移块包括： 第二单个共享沟道区，其被设置在所述半导体材料层中； 第二转移栅极，其被设置为接近所述第二单个共享沟道区，其中所述第二转移栅极被配置成响应于第二转移信号将所述光电二极管中累积的所述图像电荷转移到所述第二单个共享沟道区； 第二快门栅极，其被设置为接近所述第二单个共享沟道区，其中所述第二快门栅极被配置成响应于第二快门信号将所述第二单个共享沟道区中的所述图像电荷转移到设置在所述半导体材料层中的第二浮动扩散部；以及 第二开关栅极，其被设置为接近所述第二单个共享沟道区，其中所述第二开关栅极被配置成响应于第二开关信号将所述第二单个共享沟道区耦合到设置在所述半导体材料层中的第二电荷存储结构。

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