富士电机株式会社山本纱矢香获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112652594B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010869563.X，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权半导体装置是由山本纱矢香设计研发完成，并于2020-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：在半导体装置中优选能够抑制电压和电流中的振荡和噪声的发生。本发明提供一种半导体装置，包括：多个电路部；以及由板状的导电材料形成并连接于任一个电路部的第一连接部和第二连接部，第一连接部和第二连接部的各个主面相对而配置，第一连接部和第二连接部分别具有与电路部连接的电路连接端部和对主面的电流路径进行限制的路径限制部，在路径限制部和电路连接端部之间的电流路径流通的电流的方向在第一连接部和第二连接部不同。在路径限制部与电路连接端部之间的电流路径流通的电流的方向优选在第一连接部和第二连接部相反。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 多个电路部；以及 第一连接部、第二连接部和第三连接部，该第一连接部、第二连接部和第三连接部由板状的导电材料形成并连接于任一个电路部， 所述第一连接部、所述第二连接部和所述第三连接部各自的主面相对而配置， 所述第一连接部与所述第二连接部的第一主面相对而配置， 所述第三连接部与所述第二连接部的所述第一主面相对而配置， 所述第一连接部、所述第二连接部和所述第三连接部分别具有： 电路连接端部，该电路连接端部连接于所述电路部；以及 路径限制部，该路径限制部限制所述主面的电流路径， 在所述路径限制部与所述电路连接端部之间的所述电流路径流通的电流的方向在所述第一连接部和所述第二连接部不同，并且在所述第三连接部和所述第二连接部不同。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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