莲花应用技术有限责任公司E·R·迪奇获国家专利权
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龙图腾网获悉莲花应用技术有限责任公司申请的专利高电压、低压等离子体增强的原子层沉积获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113994025B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080042620.5，技术领域涉及：C23C16/503；该发明授权高电压、低压等离子体增强的原子层沉积是由E·R·迪奇设计研发完成，并于2020-05-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电压、低压等离子体增强的原子层沉积在说明书摘要公布了：公开了原子层沉积ALD方法和阻挡膜。进行ALD的方法包括靠近耦合到电源的电极放置衬底，将衬底暴露于0.8托或以下的含氧气体或含氮气体中，并使用电源将至少700伏的电压施加至电极，以在靠近衬底的含氧气体或含氮气体中诱导等离子体状态。用该方法可以制造高质量的阻挡膜。
本发明授权高电压、低压等离子体增强的原子层沉积在权利要求书中公布了：1.一种进行原子层沉积的方法，所述方法包括下列步骤： 靠近电极放置衬底，使得所述电极和所述衬底分隔开以在其间留下间隙； 在0.8托或以下的压力下将所述衬底暴露于工艺气体，同时以小于100kHz的频率向所述电极施加至少700伏的电压以在所述工艺气体中诱导等离子体，其占据整个间隙，所述工艺气体选自含氧气体、含氮气体及其混合物；和 将所述衬底暴露于气态含金属前体。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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