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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利半导体装置、包括该半导体装置的显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361180B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111285522.7，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权半导体装置、包括该半导体装置的显示装置是由三宅博之;冈崎健一;保坂泰靖;岛行德设计研发完成，并于2016-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置、包括该半导体装置的显示装置在说明书摘要公布了：提供一种新颖的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一晶体管；以及第二晶体管。第一晶体管包括：第一栅电极；第一栅电极上的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一氧化物半导体膜；第一氧化物半导体膜上的第一源电极及第一漏电极；第一氧化物半导体膜、第一源电极及第一漏电极上的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的第二栅电极。第二晶体管包括：第一漏电极；第一漏电极上的第二绝缘膜；第二绝缘膜上的第二氧化物半导体膜；第二氧化物半导体膜上的第二源电极及第二漏电极；第二氧化物半导体膜、第二源电极及第二漏电极上的第三绝缘膜；以及第三绝缘膜上的第三栅电极。第一氧化物半导体膜部分地重叠于第二氧化物半导体膜。

本发明授权半导体装置、包括该半导体装置的显示装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括像素，所述像素包括： 第一晶体管，所述第一晶体管包括： 第一半导体膜，所述第一半导体膜包括第一沟道形成区域； 所述第一半导体膜上的第一栅电极；以及 与所述第一半导体膜接触的第一源电极和第一漏电极； 第二晶体管，所述第二晶体管包括： 第二半导体膜，所述第二半导体膜包括第二沟道形成区域； 所述第二半导体膜上的第二栅电极；以及 与所述第二半导体膜接触的第二源电极和第二漏电极；以及 发光元件，所述发光元件的第一电极电连接到所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个， 其中，所述第二半导体膜设置在第一绝缘膜上， 所述第二晶体管还包括所述第一绝缘膜下的第三栅电极， 所述第一栅电极和所述第三栅电极设置在不同的层中， 所述第一晶体管还包括所述第一半导体膜下的第四栅电极， 所述第一栅电极和所述第四栅电极彼此电连接， 所述第二源电极和所述第二漏电极中的所述一个通过设置在第二绝缘膜中的开口与所述第二半导体膜接触，所述第二绝缘膜形成在所述第二栅电极上， 所述第一沟道形成区域和所述第二沟道形成区域彼此不重叠， 并且，所述第一半导体膜与所述第二半导体膜成分彼此不同。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社半导体能源研究所，其通讯地址为：日本神奈川县厚木市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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