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中国科学院微电子研究所李海亮获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种微纳三维混合结构的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114464527B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111679258.5,技术领域涉及:H10P50/64;该发明授权一种微纳三维混合结构的制备方法是由李海亮;张晓萌;姚楚豪;谢常青设计研发完成,并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

一种微纳三维混合结构的制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种微纳三维混合结构的制备方法,包括:在衬底上依次形成金属膜层和光刻胶层;根据预设的版图图形,刻蚀所述光刻胶层,形成图形化的光刻胶层;去除所述金属膜层的显露区域,并保留所述显露区域注入所述衬底中的残留金属颗粒,所述显露区域为未被所述图形化的光刻胶层覆盖的金属膜层区域;去除所述图形化的光刻胶层;采用金属辅助化学腐蚀工艺处理所述衬底,通过所述金属膜层的催化和所述残留金属颗粒的催化,形成所述微纳三维混合结构。提供了一种在通过版图图形化腐蚀衬底的同时,也能在无版图图案设计的衬底区域形成特定结构的方法。

本发明授权一种微纳三维混合结构的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种微纳三维混合结构的制备方法,其特征在于,包括: 在衬底上依次形成金属膜层和光刻胶层; 根据预设的版图图形,刻蚀所述光刻胶层,形成图形化的光刻胶层; 去除所述金属膜层的显露区域,并保留所述显露区域注入所述衬底中的残留金属颗粒,所述显露区域为未被所述图形化的光刻胶层覆盖的金属膜层区域; 去除所述图形化的光刻胶层; 采用金属辅助化学腐蚀工艺处理所述衬底,通过所述金属膜层的催化和所述残留金属颗粒的催化,形成所述微纳三维混合结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所,其通讯地址为:100029 北京市朝阳区北土城西路3号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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