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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种垂直GaN基沟槽场效应晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695123B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210268219.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种垂直GaN基沟槽场效应晶体管的制备方法是由刘新科;黄正;刘潇;林峰;吴钧烨;黄双武;黎晓华;贺威设计研发完成，并于2022-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直GaN基沟槽场效应晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种垂直GaN基沟槽场效应晶体管的制备方法，包括：在双面抛光的n型高掺杂自支撑GaN衬底上生长异质外延薄膜；在外延薄膜上进行刻蚀，形成垂直沟槽和垂直台面结构，并在垂直沟槽内蒸镀金属膜形成p体层电极；在垂直沟槽中的p体层电极区域以外的器件表面制备Al2O3薄膜作为栅极，酸洗钝化后在Al2O3薄膜表面蒸镀金属薄膜，退火形成欧姆接触电极；在p体层电极表面蒸镀S，并在欧姆接触电极的金属薄膜上沉积钝化层隔离台面，以及采用场板端接的方法消除隔离台面周围PN结边缘聚集的峰值电场。

本发明授权一种垂直GaN基沟槽场效应晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直GaN基沟槽场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括下述步骤： 在双面抛光的n型高掺杂自支撑GaN衬底上生长异质外延薄膜； 在外延薄膜上进行刻蚀，形成垂直沟槽和垂直台面结构，并在垂直沟槽内蒸镀金属膜形成p体层电极； 在垂直沟槽中的p体层电极区域以外的器件表面制备Al2O3薄膜作为栅极介质，酸洗钝化后在Al2O3薄膜表面蒸镀金属薄膜，退火形成欧姆接触电极； 在p体层电极表面蒸镀源级，并在欧姆接触电极的金属薄膜上沉积钝化层隔离台面，以及采用场板端接的方法消除隔离台面周围PN结边缘聚集的峰值电场； 在双面抛光的n型高掺杂自支撑GaN衬底上生长异质外延薄膜，包括： 在n-型GaN衬底上生长厚度为10~15μm，轻掺杂载流子浓度为5.0×1015cm-3~9.0×1015cm-3的n型轻Si掺杂的n-型GaN作为漂移层； 在n-型GaN漂移层上生长厚度为200~300nm，重掺杂形成的p型AlGaN，其中，掩埋层p型AlGaN的Al的含量从7%到0%的线性梯度，储存为通道区域； 在p型AlGaN上生长厚度为0.1~0.3μm的重掺杂n+型GaN作为源级接触层，其中，掺杂密度为2×1018cm-3到5×1018cm-3。

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