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龙图腾网获悉西安航天民芯科技有限公司申请的专利一种用于大功率电源管理的功率管驱动电源充电电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114710006B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210434751.9，技术领域涉及：H02M1/00；该发明授权一种用于大功率电源管理的功率管驱动电源充电电路是由孙权;夏雪;袁婷;董磊;王勇设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于大功率电源管理的功率管驱动电源充电电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于大功率电源管理的功率管驱动电源充电电路，包括变压检测单元与控制充电单元，电压检测单元输出电压判断的数字信号，通过电平移位结构将该数字信号传输到充电单元控制功率管M17的开关，M1栅漏相接与M7的漏端相接，M7源端接电阻R1到SW。M2漏端与M8的栅漏以及M7的栅端相接，M8的源端通过一个栅漏相接的M10接到SW上。该部分形成一个自偏置电流电路。为后级的比较电路提供电流。M3电流支路上串联两个栅漏相接的NMOS：M6和M9，再通过M11与M12的电流镜将该支路电流镜像到M4之路上进行比较，产生输出信号。本发明降低了对LDO最大带载能力的要求。同时也可以通过设计降低充电频率，以减少开关损耗，提高芯片效率。

本发明授权一种用于大功率电源管理的功率管驱动电源充电电路在权利要求书中公布了：1.一种用于大功率电源管理的功率管驱动电源充电电路，包括电压检测单元与充电单元，其特征在于，电压检测单元输出电压判断的数字信号，通过电平移位电路将该数字信号传输到充电单元控制功率管M17的开关，电压检测单元中第一型MOS管M1的栅极与漏极与第二型MOS管M2、第三型MOS管M3、第四型MOS管M4、第五型MOS管M5的栅极以及第七型MOS管M7的漏极相接，第一型MOS管M1，第二型MOS管M2，第三型MOS管M3，第四型MOS管M4的源端与BOOST电位相接，源端电源为BOOST，第七型MOS管M7的栅极与第八型MOS管M8的栅极和漏极以及第二型MOS管M2的漏极相接；第七型MOS管M7的源极通过电阻R1连接到SW电位，第十型MOS管M10，第十一型MOS管M11，第十二型MOS管M12的源极也与SW电位相连，第三型MOS管M3的漏极与第六型MOS管M6的栅极漏极相连；第六型MOS管M6的源极与第九型MOS管M9的栅极漏极相连；第九型MOS管M9的源极与第十一型MOS管M11的栅极漏极和第十二型MOS管M12的栅极相连；第十二型MOS管M12的漏极与第五型MOS管M5的漏极相连并输出到充电单元，充电单元中第十三型MOS管M13，第十四型MOS管M14，第十七型MOS管M17的源极与电阻R2的一端与VIN相连，第十三型MOS管M13的栅极漏极与第十四型MOS管M14的栅极相连，并通过电阻R3连接到地；第十四型MOS管M14的漏极与第十五型MOS管M15的漏极，第十七型MOS管M17的栅极以及电阻R2的另一端相连；第十七型MOS管M17的漏极通过二极管D1连接到源端电源电位；第十五型MOS管M15的源极与第十六型MOS管M16的漏极相连；第十六型MOS管M16的源极连接到地，第八型MOS管M8源端与第十型MOS管M10的漏端、栅端相连，第十六型MOS管M16的栅端与电平移位电路的输出相连，第十五型MOS管M15的栅极与外部电源输入VCC相连。

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