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龙图腾网获悉深圳基本半导体有限公司申请的专利一种功率半导体器件的场限环终端结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725185B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210168633.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种功率半导体器件的场限环终端结构及制备方法是由汪之涵;张学强;喻双柏;和巍巍;杜蕾设计研发完成，并于2022-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率半导体器件的场限环终端结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种功率半导体器件的场限环终端结构及制备方法，终端结构包括元胞区和终端区，其中，元胞区中远离衬底的一侧设置有主结区，且主结区设置于外延层的表面；终端区包括若干场限环以及一个截止环，截止环设置于终端区远离主结区的边缘，若干场限环依次排列于主结区与截止环之间，且若干场限环间隔于终端区的表面设置；终端区的表面对应于若干场限环覆盖有场氧化层，在场氧化层的表面设置有浮空场板，浮空场板包括对应于场限环的重叠区域，以及对应于相邻场限环之间区域的延伸区域，延伸区域用于吸引空穴。本发明提供的功率半导体器件的场限环终端结构，能够实现更理想的耐压稳定性。

本发明授权一种功率半导体器件的场限环终端结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件的场限环终端结构，其特征在于，包括：元胞区和在所述元胞区外围形成的终端区，所述终端区和所述元胞区包括共同的衬底和沿所述衬底一侧延伸的外延层；其中， 所述元胞区中远离所述衬底的一侧设置有主结区，且所述主结区设置于所述外延层的表面；所述终端区包括若干场限环以及一个截止环，所述截止环设置于所述终端区远离所述主结区的边缘，若干所述场限环依次排列于所述主结区与所述截止环之间，且若干所述场限环与所述终端区的表面间隔设置；所述终端区的表面对应于若干所述场限环的区域覆盖有场氧化层，在所述场氧化层的表面设置有浮空场板，所述浮空场板包括对应于所述场限环的重叠区域，以及对应于相邻所述场限环之间区域的延伸区域，所述延伸区域用于吸引空穴； 所述浮空场板的重叠区域与对应的所述场限环的右侧区域重叠； 若干所述浮空场板一一对应于若干所述场限环，每组所述浮空场板包括重叠区域以及位于所述重叠区域一侧的延伸区域，所述重叠区域与对应的所述场限环部分重叠； 每组所述浮空场板的重叠区域与对应的所述场限环的右侧区域重叠，以及所述延伸区域向所述截止环延展。

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