北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司张合静获国家专利权
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龙图腾网获悉北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司申请的专利薄膜晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823342B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210422330.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权薄膜晶体管及其制备方法是由张合静;林春燕;杨帆;卓恩宗;许哲豪;李荣荣设计研发完成，并于2022-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，该方法包括提供基板；在所述基板上形成栅极；在所述基板上形成栅极绝缘层，使所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；在所述栅极绝缘层上形成非晶硅层；其中，控制氢气与硅烷的比值大于或等于8；在所述非晶硅层上形成掺杂层；在所述掺杂层上形成源漏极金属层；对所述源漏极金属层和所述掺杂层进行刻蚀，以得到源极和漏极。本申请解决了现有液晶显示器在高温状态下TFT的关态电流会大幅度变大，导致液晶显示器出现闪屏或画异，影响显示品质的问题。
本发明授权薄膜晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 提供基板10； 在所述基板10上形成栅极20； 在所述基板10上形成栅极绝缘层30，使所述栅极绝缘层30覆盖所述栅极20； 在所述栅极绝缘层30上形成非晶硅层40；其中，控制氢气与硅烷的比值大于或等于8； 在所述非晶硅层40上形成掺杂层50； 在所述掺杂层50上形成源漏极金属层60； 对所述源漏极金属层60和所述掺杂层50进行刻蚀，以得到源极61、漏极62以及位于所述源极61和所述漏极62之间的第一沟道63和第二沟道64；所述第一沟道63的长度和所述第二沟道64的长度均大于3微米，所述第一沟道63在所述基板上的正投影以及所述第二沟道64在所述基板10上的正投影均位于所述栅极20在所述基板10上的正投影内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北海惠科光电技术有限公司;惠科股份有限公司，其通讯地址为：536000 广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司二期A座4楼A-430室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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