滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司王伟获国家专利权
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龙图腾网获悉滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司申请的专利纳米晶硅有源膜及其制备方法与薄膜晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823848B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210385387.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权纳米晶硅有源膜及其制备方法与薄膜晶体管是由王伟;朱虹玲;卓恩宗;康报虹设计研发完成，并于2022-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本纳米晶硅有源膜及其制备方法与薄膜晶体管在说明书摘要公布了：本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种纳米晶硅有源膜及其制备方法与薄膜晶体管，纳米晶硅有源膜的制备方法包括：提供绝缘材料层，在绝缘材料层的表面进行第一沉积速率沉积处理，形成硅种子层；在硅种子层背离绝缘材料层的表面进行第二沉积速率沉积处理，形成硅缓冲层；在所述硅缓冲层背离所述硅种子层的表面进行第三沉积速率沉积处理，形成硅本体层，得到纳米晶硅有源膜。该方法通过在硅种子层和硅本体层之间制备硅缓冲层，进一步逐渐提高结晶度，确保进行第三沉积速率沉积处理形成的硅本体层结晶度较高、迁移率较高；此外，该制备方法工艺简单，分别通过控制三次不同沉积速率的方法即可得到纳米晶硅有源膜，效率高，条件可控，可实现量产。
本发明授权纳米晶硅有源膜及其制备方法与薄膜晶体管在权利要求书中公布了：1.一种纳米晶硅有源膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供绝缘材料层，在所述绝缘材料层的表面进行第一沉积速率纳米晶硅沉积处理，形成硅种子层；所述第一沉积速率沉积处理采用化学气相沉积进行处理，功率为1～5kW，气体流量比为H2：SiH4＝80～120：1～2，温度为280～320℃； 在所述硅种子层背离所述绝缘材料层的表面进行第二沉积速率沉积处理，形成硅缓冲层；所述第二沉积速率沉积处理采用化学气相沉积进行处理，功率为3～8kW，气体流量比为H2：SiH4＝30～80：1～2，温度为280～320℃； 在所述硅缓冲层背离所述硅种子层的表面进行第三沉积速率沉积处理，形成硅本体层，得到纳米晶硅有源膜；所述第三沉积速率沉积处理采用化学气相沉积进行处理，功率为5～20kW，气体流量比为H2：SiH4＝5～20：1～2，温度为280～320℃。
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