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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种半导体器件及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132725B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210951004.2，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权一种半导体器件及制作方法是由袁俊设计研发完成，并于2022-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件及制作方法，所述半导体器件包括：外延片，具有相对的第一表面和第二表面，所述第二表面指向所述第一表面的方向上，所述外延片包括依次设置的衬底、第一外延层、掩埋层和第二外延层，在平行于所述第一表面的方向上，所述外延片包括第一区域和第二区域，设置在所述第一区域的肖特基二极管结构，设置在所述第二区域的沟槽MOSFET结构。本申请技术方案在同一外延片上同时集成肖特基二极管结构以及MOSFET器件结构，由于所述肖特基二极管结构以及所述MOSFET器件结构是在同一外延片上制备的，且二者的制备过程完全兼容，因此在降低了制作成本的同时还能够提高器件在高电压和大电流下的稳定性可靠性。

本发明授权一种半导体器件及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 外延片，具有相对的第一表面和第二表面；所述第二表面指向所述第一表面的方向上，所述外延片包括依次设置的衬底、第一外延层、掩埋层和第二外延层；在平行于所述第一表面的方向上，所述外延片包括第一区域和第二区域； 设置在所述第一区域的肖特基二极管结构； 设置在所述第二区域的沟槽MOSFET结构； 其中，所述肖特基二极管结构包括： 沟槽结构，位于所述第二外延层的表面内； 电场屏蔽结构，位于所述第一表面内；在垂直于所述外延片的方向上，所述电场屏蔽结构包围所述沟槽结构；在平行于所述第一表面的方向上，所述电场屏蔽结构与所述沟槽结构具有间距；所述电场屏蔽结构包括位于所述第一区域的掩埋层； 肖特基接触层，位于所述第一表面上；所述肖特基接触层覆盖所述沟槽结构，且与所述电场屏蔽结构接触； 其中，所述MOSFET结构包括： 沟槽栅极结构，位于所述第二外延层的表面内，与所述掩埋层存在间隔； 阱区，位于所述第一表面内，在垂直于所述外延片的方向上，所述阱区包围所述沟槽栅极结构； 源区，位于所述第二外延层内，与所述阱区背离所述衬底的一侧表面接触，且与沟槽栅极结构接触； 第五掺杂区，位于所述沟槽栅极结构的下方，贯穿所述掩埋层，且与所述沟槽栅极结构具有间隔；形成所述第五掺杂区之后，所述掩埋层成为第一层阱区。

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