天狼芯半导体(成都)有限公司黄汇钦获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种平面氮化镓器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224125B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210711355.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种平面氮化镓器件及其制备方法是由黄汇钦;吴龙江设计研发完成，并于2022-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种平面氮化镓器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种平面氮化镓器件及其制备方法，平面氮化镓器件包括：源极区、漏极区、沟道层、势垒层、钝化层和栅极区；其中，源极区包括源极主体和多个源极单元；漏极区包括漏极主体和多个漏极单元；栅极区包括栅极主体和多个栅极单元；其中，每个栅极单元分段设置，且每个栅极单元设置于对应的多个漏极单元与多个源极单元之间。通过每个栅极单元分段设置，且每个栅极单元设置于对应的多个漏极单元与多个源极单元之间，将栅极单元进行分段设置，其中，在器件的边缘区域与中间区域使用不同的栅极结构，可以解决现有的氮化镓器件都容易在边缘区域发生击穿效应，导致器件无法继续工作的问题。
本发明授权一种平面氮化镓器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种平面氮化镓器件，其特征在于，所述平面氮化镓器件包括：源极区、漏极区、沟道层、势垒层、钝化层和栅极区；其中， 所述源极区包括源极主体和多个源极单元，多个所述源极单元平行设置且分别与所述源极主体接触； 所述漏极区包括漏极主体和多个漏极单元，多个所述漏极单元平行设置且分别与所述漏极主体接触； 所述栅极区包括栅极主体和多个栅极单元，所述栅极区设于所述势垒层上，多个所述栅极单元平行设置且分别与所述栅极主体接触； 其中，每个所述栅极单元分段设置，且每个所述栅极单元设置于对应的多个所述漏极单元与多个所述源极单元之间；所述栅极单元包括：第一栅极耐压元件、第二栅极耐压元件和栅极元件； 其中，所述第一栅极耐压元件的第一端与所述栅极主体接触，所述第一栅极耐压元件的第二端串联所述栅极元件后与所述第二栅极耐压元件接触。
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