肇庆市华师大光电产业研究院埃泽尔·马丁·阿金诺古获国家专利权
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龙图腾网获悉肇庆市华师大光电产业研究院申请的专利一种具有可渗透薄膜的纳米碗阵列微反应器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115353067B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211031164.1，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种具有可渗透薄膜的纳米碗阵列微反应器及其制备方法是由埃泽尔·马丁·阿金诺古;李彩涛;楼姝婷;王新;周国富;迈克尔·吉斯格设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有可渗透薄膜的纳米碗阵列微反应器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于微‑纳米级微型反应器制备的技术领域，具体涉及一种具有可渗透薄膜的纳米碗阵列微反应器及其制备方法，包括以下步骤：S1.基底预处理；S2.将PS球悬浮液自组装到步骤S1处理好的基底上，制备PS球阵列；S3.等离子刻蚀步骤S2的PS球阵列；S4.在步骤S3样品表面沉积所需材料；S5.用溶解性溶剂清洗步骤S4样品。本发明制备的基底微反应器是由可控大小和可控材料的碗状结构组成，且表面由一层薄薄的聚苯乙烯覆盖，可以不受外界环境影响的同时进行小分子交换，可用于电化学、光电化学和光催化等领域，同时有望在未来的流电池应用。
本发明授权一种具有可渗透薄膜的纳米碗阵列微反应器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有可渗透薄膜的纳米碗阵列微反应器，其特征在于，包括如下步骤制备得到： S1、基底预处理； S2、将PS球悬浮液自组装到步骤S1处理好的基底上，制备PS球阵列； S3、等离子刻蚀步骤S2的PS球阵列； S4、在步骤S3样品表面沉积所需材料； S5、用溶解性溶剂清洗步骤S4样品； 步骤S3所述等离子刻蚀所选气体为氧气； 步骤S4所述材料沉积方法为电沉积或溶胶法； 所述纳米碗阵列微反应器的内部是碗状结构，碗的表面是超薄PS膜，且表面沉积材料为金属、半导体中的一种或多种。
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