AMS-欧司朗国际有限公司马丁·鲁道夫·贝灵格获国家专利权
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龙图腾网获悉AMS-欧司朗国际有限公司申请的专利半导体激光器和包括半导体激光器的激光系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115461947B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180030385.4，技术领域涉及：H01S5/06；该发明授权半导体激光器和包括半导体激光器的激光系统是由马丁·鲁道夫·贝灵格;布鲁诺·延奇;休伯特·哈尔布里特设计研发完成，并于2021-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体激光器和包括半导体激光器的激光系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体激光器10，其包括具有用于产生辐射的有源区115的半导体层装置112，并且包括第一谐振器镜144、第二谐振器镜146和设置在第一谐振器镜144与第二谐振器镜146之间的谐振器131，所述谐振器131朝着平行于半导体层装置112的主表面111的方向延伸。半导体激光器10还包括设置在半导体层装置112与第一谐振器镜144之间的第一波长选择吸收元件140。
本发明授权半导体激光器和包括半导体激光器的激光系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器10，包括： 半导体层装置112，其具有用于产生辐射的有源区115， 第一谐振器镜144、第二谐振器镜146和设置在第一谐振器镜144与第二谐振器镜146之间的谐振器131，所述谐振器131沿平行于半导体层装置112的主表面111的方向延伸，以及， 第一波长选择吸收元件140，其设置在所述半导体层装置112与所述第一谐振器镜144之间， 其中，所述第一波长选择吸收元件140具有吸收层143，所述吸收层143设置在与目标波长处的电场强度的节点的位置相对应的位置处，并且， 所述第一波长选择吸收元件140还具有所述第一谐振器镜144与所述吸收层143之间的透明介电层142，其中，所述透明介电层142的尺寸设定为使得以目标波长形成的驻波的节点被设置在吸收层143中，其中，所述透明介电层142和吸收层143的平面垂直于光传播方向延伸； 其中，如果所述半导体激光器在目标波长处工作，则在吸收层143中不会发生吸收，并且，如果波长随着温度的升高而偏移，则在吸收层143中对于此波长的吸收会增加。
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