吉林大学张佳旗获国家专利权
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龙图腾网获悉吉林大学申请的专利ODADBr原位钝化的钙钛矿量子点高效发光LED及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498123B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211184239.X，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权ODADBr原位钝化的钙钛矿量子点高效发光LED及其制备方法是由张佳旗;苟利杰;高龙;张晓宇;郑伟涛设计研发完成，并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本ODADBr原位钝化的钙钛矿量子点高效发光LED及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了ODADBr原位钝化的钙钛矿量子点高效发光LED及其制备方法，采用ITO为阳极，PEDOT:PSS为空穴注入层，其厚度为40nm；Poly‑TPD为空穴传输层，其厚度为20nm；PMMA为界面修饰层，其厚度为5nm；ODADBr为1,8－辛二胺氢溴酸盐，原始与ODADBr原位钝化的CsPbBr3量子点为发光层，其厚度为15nm；TPBi为电子传输层，其厚度为50nm；LiF为电子注入层，其厚度为1nm；Al为阴极，其厚度为100nm，采用ODADBr钝化高温热注入合成的CsPbBr3量子点表面陷阱，减少量子点表面多余的Pb2+与VBr，从而提高材料的荧光寿命、发光强度以及荧光量子产率PLQY，进而提高材料的稳定性，将其应用于LED中，可以实现高亮度、高纯度、高外量子效率和提高器件的工作寿命。
本发明授权ODADBr原位钝化的钙钛矿量子点高效发光LED及其制备方法在权利要求书中公布了：1.ODADBr原位钝化的钙钛矿量子点发光LED，其特征在于：采用ITO为阳极，PEDOT:PSS为空穴注入层，其厚度为40nm；Poly-TPD为空穴传输层，其厚度为20nm；PMMA为界面修饰层，其厚度为5nm；ODADBr为1,8－辛二胺氢溴酸盐，原始与ODADBr原位钝化的CsPbBr3量子点为发光层，其厚度为15nm；TPBi为电子传输层，其厚度为50nm；LiF为电子注入层，其厚度为1nm；Al为阴极，其厚度为100nm。
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