天狼芯半导体(成都)有限公司王威获国家专利权
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龙图腾网获悉天狼芯半导体(成都)有限公司申请的专利一种氮化镓功率器件、制备方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548096B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211310498.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种氮化镓功率器件、制备方法及芯片是由王威;黄汇钦设计研发完成，并于2022-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮化镓功率器件、制备方法及芯片在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，提供了一种氮化镓功率器件、制备方法及芯片，氮化镓功率器件包括：半导体衬底、沟道层、第一势垒层、第二势垒层、第一P柱、第二P柱、源极电极、漏极电极以及栅极电极；通过设置栅极电极为肖特基金属，且栅极电极与第一P柱、第二P柱接触，使得是栅极电极与第一P柱之间为肖特基接触，栅极电极与第二P柱之间为肖特基接触，可以使得栅极电极与第一P柱、第二P柱之间存在较高的肖特基势垒高度，进而减小栅极电极的泄漏电流，提供较高的正向阈值电压，从而提升氮化镓功率器件的性能，拓展氮化镓功率器件应用范围。
本发明授权一种氮化镓功率器件、制备方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓功率器件，其特征在于，所述氮化镓功率器件包括： 半导体衬底； 沟道层，设于所述半导体衬底上； 第一势垒层，设于所述半导体衬底上，且与所述沟道层的第一面接触； 第二势垒层，设于所述半导体衬底上，且与所述沟道层的第二面接触； 第一P柱，设于所述半导体衬底上，且所述第一势垒层设于所述第一P柱和所述沟道层之间； 第二P柱，设于所述半导体衬底上，且所述第二势垒层设于所述第二P柱和所述沟道层之间； 源极电极，设于所述半导体衬底上，且所述源极电极分别与所述沟道层的第一端、所述第一势垒层的第一端以及所述第二势垒层的第一端接触； 漏极电极，设于所述半导体衬底上，且所述漏极电极分别与所述沟道层的第二端、所述第一势垒层的第二端以及所述第二势垒层的第二端接触； 栅极电极，设于所述沟道层、所述第一势垒层、所述第二势垒层、所述第一P柱以及所述第二P柱上； 其中，所述栅极电极为肖特基金属； 所述第一P柱到所述源极电极的距离与所述第一P柱到所述漏极电极的距离相同。
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