泉州市堃方半导体有限公司陈若潍获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州市堃方半导体有限公司申请的专利一种用于存储芯片测试的防静电插座获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223986155U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202620144257.2,技术领域涉及:G01R1/04;该实用新型一种用于存储芯片测试的防静电插座是由陈若潍;邱鹏宇;张英德设计研发完成,并于2026-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于存储芯片测试的防静电插座在说明书摘要公布了:本实用新型涉及芯片测试插座技术领域,尤其涉及一种用于存储芯片测试的防静电插座,包括检测盒,所述检测盒顶部通过转轴活动连接有盖板,所述盖板顶部设置有除静电机构。本实用新型通过可拆卸、可变换安装方向的等离子除静电组件设计,实现了灵活的主动式静电防护,操作人员可根据测试需求,选择将连接在吹风箱侧边或顶部的接触板,通过对应的安装杆插入支撑框四周安装板上的安装通孔中,这一安装过程使得吹风箱可被固定为竖直或横向状态,从而能分别向检测盒内腔的芯片装载区域或底部的芯片测试区域定向吹送洁净的离子风,使除静电的覆盖范围与方向可调,能够主动消除芯片表面及周围空间残留的静电。
本实用新型一种用于存储芯片测试的防静电插座在权利要求书中公布了:1.一种用于存储芯片测试的防静电插座,包括检测盒1,所述检测盒1顶部通过转轴活动连接有盖板2,其特征在于:所述盖板2顶部设置有除静电机构3,所述除静电机构3包括设置在所述盖板2顶部的支撑框31,固定连接在所述支撑框31四周的安装板32,开设在所述安装板32内部的安装通孔33,插入在所述安装通孔33内部的安装杆34,固定连接在所述安装杆34一端的接触板35,固定连接在所述接触板35一侧的等离子除静电组件36,以及设置在所述盖板2底部的固定组件37。
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