株洲中车时代半导体股份有限公司石廷昌获国家专利权
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龙图腾网获悉株洲中车时代半导体股份有限公司申请的专利一种压接式IGBT子单元及压接式IGBT模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223987325U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520319320.7，技术领域涉及：H10D80/20；该实用新型一种压接式IGBT子单元及压接式IGBT模块是由石廷昌;安迪;李星峰;常桂钦;肖强;刘俊;刘维设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压接式IGBT子单元及压接式IGBT模块在说明书摘要公布了：本实用新型属于IGBT技术领域，具体涉及一种压接式IGBT子单元及压接式IGBT模块，集电极导电板内部设置数条流道，数条流道在集电极导电板内部沿集电极导电板的长度和或宽度方向延伸设置，且两两相邻的流道之间连通，数条流道内设置有相变工质，芯片和发射极导电片均具有数个，数个芯片均设置在集电极导电板上，数个发射极导电片一对一设置在数个芯片背离集电极导电板的一面，导电承压组件用于与数个发射极导电片接触。能够更快速横向传递短路失效芯片位置处的局部高度，提升均温性，避免出现局部温度过高的情况，降低母排等结构熔断的风险和引发明火风险，提高电力系统的长期运行的可靠性及安全性。
本实用新型一种压接式IGBT子单元及压接式IGBT模块在权利要求书中公布了：1.一种压接式IGBT子单元，其特征是，包括集电极导电板1、芯片2、发射极导电片3和导电承压组件4，所述集电极导电板1内部设置数条流道11，数条流道11在集电极导电板1内部沿集电极导电板1的长度和或宽度方向延伸设置，且两两相邻的流道11之间连通，数条所述流道11内设置有相变工质，所述芯片2和发射极导电片3均具有数个，数个所述芯片2均设置在集电极导电板1上，数个所述发射极导电片3一对一设置在数个芯片2背离集电极导电板1的一面，所述导电承压组件4用于与数个发射极导电片3接触。
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