台湾积体电路制造股份有限公司苏曼侬获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223987326U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-10发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520154049.6，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体结构是由苏曼侬;郑承珞;张博钦;江芃萱;苏焕傑;王菘豊;王志豪;林斌彦设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构，该半导体结构包括在一晶体管的一栅极结构上的一栅极接触结构。该栅极接触结构包括一金属通孔，其穿过一介电层且接触该栅极结构的一栅极电极。该金属通孔包括具有电阻率与平均自由路径的低乘积值的一金属，诸如钌。在该金属通孔与该栅极电极之间的一介面是没有氧。借此，栅极接触结构的金属通孔具有更好的传导性能。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，该半导体结构包含： 衬底； 鳍片结构，其在该衬底上； 源极漏极区，其在该鳍片结构上； 源极漏极接点结构，其在该源极漏极区上； 栅极结构，其在该鳍片结构上且邻近于该源极漏极区； 介电层，其在该栅极结构上；以及 栅极接触结构，其在该介电层中且在该栅极结构上，其中该栅极接触结构包含： 传导层，其与该栅极结构接触；以及 自组装单层，其环绕该传导层。
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