北京镓和半导体有限公司唐为华获国家专利权
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龙图腾网获悉北京镓和半导体有限公司申请的专利一种氧化锆坩埚制备氧化镓单晶的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115821381B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211097581.6，技术领域涉及：C30B27/02；该发明授权一种氧化锆坩埚制备氧化镓单晶的方法是由唐为华;田亚文;李山设计研发完成，并于2022-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化锆坩埚制备氧化镓单晶的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化镓单晶的制备方法，其特点在于使用氧化锆作为坩埚容器，通过第一发热体镓金属和第二发热体氧化镓锆坩埚的共同作用使氧化镓原料熔化，进而实现无铱金生长的氧化镓单晶。本发明操作简单有效，避免了贵金属铱金的使用，极大的降低了氧化镓单晶的制备成本，有利于氧化镓单晶的工业化生产和科研探索。
本发明授权一种氧化锆坩埚制备氧化镓单晶的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过氧化锆坩埚制备氧化镓单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：称取高质量氧化镓粉末，同时称取镓金属，共同置入氧化锆坩埚中；放置好热场和籽晶，关闭炉门，抽真空后再将炉内充入氩气保护气体；打开感应发热电源，开始升温，并观察热电偶温度，当热电偶显示温度达到1000℃时，逐渐往炉内通入氧气，逐步将镓金属氧化；当温度达到氧化镓熔点时开始进行晶体生长，缓慢将籽晶降入坩埚内浸泡籽晶30分钟；开始引晶，以1mmh的提拉速度，以及5rpm转速进行晶体生长，经过引晶、缩颈、放肩、收尾过程；逐渐降低电源功率，降温冷却至室温，生长结束； 氧化锆坩埚为掺钇氧化锆粉末烧结而成，具备负电阻温度系数，在700～1000℃时电阻率为1×10-3～8×10-3Ω·cm区间，在1500～1800℃时1×10-5～1×10-4Ω·cm区间； 电磁线圈先感应第一发热体镓金属实施第一阶段升温，将氧化锆坩埚加热到1000～1400℃；再以高温氧化锆坩埚为第二发热体实施第二阶段升温，使炉体温度达到1800℃左右，使氧化镓原料完全熔融。
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