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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种基于半定松弛的超表面阵列天线方向图优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115828601B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211566604.3，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种基于半定松弛的超表面阵列天线方向图优化方法是由武军伟;华琼;程强设计研发完成，并于2022-12-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于半定松弛的超表面阵列天线方向图优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于半定松弛的超表面阵列天线方向图优化方法。首先从阵列天线的阵因子公式出发，根据预期需求建立原始优化问题模型；然后对阵列激励矢量的每一个复数元素进行虚实分离，将原始问题进行等价转换；接着舍去原问题中的一个非凸约束，得到一个凸的半正定松弛问题，其有最优解；最后分情况讨论，当最优解的秩为1时，最优解即为原问题的最优解，当最优解的秩不为1时，通过特征值分解来得到原始问题的可行解，从而求解出满足预期需求的阵列的幅度和相位信息。本发明能够根据指定的阵列远场方向图快速求解出阵列阵元的激励矢量，经过后续的全波仿真和实验测试，证明了所提优化方法的有效性。

本发明授权一种基于半定松弛的超表面阵列天线方向图优化方法在权利要求书中公布了：1.一种基于半定松弛的超表面阵列天线方向图优化方法，其特征在于，包括如下三个步骤： 步骤1:考虑阵元间距为，阵元个数为的直线阵列，写出该阵列的远场电场表达式，结合具体要形成的远场方向图的需求，划分主瓣区域和副瓣区域，确定主瓣区域要形成的波束形状，确定副瓣区域的远场方向图电平值；将阵列的复激励矢量设为初始优化变量，建立原始优化问题模型，其是一个非凸问题模型； 步骤2:对复激励矢量的每一个元素进行实部与虚部的分离，得到一个维变量； 步骤3:对原始问题进行等价改写，舍去问题中的非凸约束，从而得到一个凸的半定松弛问题，该问题有最优解，后续引入秩最小化理论使其解的秩接近；最后分情况讨论，若前述解的秩为，则其即为原始问题的最优解，若秩不为，则通过特征值分解求出原始问题的近似解也即可行解； 步骤1具体包括以下步骤：考虑阵元间距为d，阵元个数为N的直线阵列，其阵因子表达式写为: ； 是方向的导向矢量： ； 是第个单元的单元方向图，其中；是波数，是虚数单位；是第个阵元的坐标位置，；H代表共轭转置操作；是阵列的复激励矢量，包含每个阵元的幅度与相位信息，；指阵列在方向的远场方向图，；构建如下的方向图优化问题3模型： 3a； 3b； 3c； 3a-3c组成的优化问题3，其中是指主瓣区域的方位角，是指副瓣区域的方位角，方位角的步长取为；3b表示要求阵列在主瓣区域，方向图电平值在一个范围内波动，3c表示副瓣电平要小于一个上界值，代表主瓣区域方向图电平值的上界，代表主瓣区域方向图电平值的下界，表副瓣区域方向图电平值的上界，均为正常数。

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