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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利U型量子阱氮化镓共振隧穿二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832062B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211598148.0，技术领域涉及：H10D8/70；该发明授权U型量子阱氮化镓共振隧穿二极管及其制作方法是由薛军帅;郭壮;吴冠霖;姚佳佳;李祖懋;袁金渊;李泽辉;张进成;郝跃设计研发完成，并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本U型量子阱氮化镓共振隧穿二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种U型量子阱氮化镓共振隧穿二极管，主要解决现有氮化镓共振隧穿二极管量子阱能带倾斜、集电极耗尽区宽度大导致透射系数小和隧穿电流低的问题。其包括衬底、GaN外延层、n+GaN发射极欧姆接触层、GaN隔离层、两个势垒层、U型量子阱层、渐变组分隔离层、n+InN集电极欧姆接触层和电极；U型量子阱层采用铟组分以8％‑15％的间隔从第一势垒层递减到第二势垒层的InGaN；两个势垒层采用组分一致、厚度相同的BAlPN；渐变组分隔离层采用铟组分以2％‑5％的间隔从第二势垒层递增到n+InN集电极欧姆接触层的InGaN。本发明器件峰值电流和工作频率高，输出功率大，可用在太赫兹辐射源和高速数字电路。

本发明授权U型量子阱氮化镓共振隧穿二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种U型量子阱氮化镓共振隧穿二极管，自下而上包括衬底1、GaN外延层2、n+GaN发射极欧姆接触层3、GaN隔离层4、第一势垒层5、U型量子阱层6、第二势垒层7、渐变组分隔离层8、n+InN集电极欧姆接触层9、集电极电极10，GaN隔离层4两侧设有环形发射极电极11，GaN隔离层4到集电极电极10的外部包裹有钝化层12，其特征在于： 所述第一势垒层5和第二势垒层7采用组分一致、厚度相同的BxAlyPzN，其中0≤x1、0≤y1、0≤z1，且满足x+y+z=1，厚度为1nm-3nm； 所述U型量子阱层6，采用渐变组分InmGa1-mN，其中组分m从靠近第一势垒层5侧的100%逐渐降低到靠近第二势垒层7侧的0%，渐变间隔为8%-15%，厚度为1.5nm-3nm； 所述渐变组分隔离层8，采用渐变组分InnGa1-nN，其中组分n从靠近第二势垒层7侧的0%逐渐增加到靠近n+InN集电极欧姆接触层9的100%，渐变间隔为2%-5%，厚度为4nm-12nm； 所述GaN外延层2，其厚度为1000nm-6000nm； 所述GaN隔离层4，其厚度为4nm-15nm； 所述n+GaN发射极欧姆接触层3，其掺杂浓度为1x1019cm-3-5x1020cm-3，厚度为50nm-200nm； 所述n+InN集电极欧姆接触层9，采用掺杂浓度在1x1019cm-3-5x1020cm-3之间，厚度为50nm-200nm； 所述钝化层12采用SiN材料、Al2O3材料、HfO2材料中的任意一种材料； 所述衬底1采用自支撑氮化镓单晶材料、蓝宝石材料、碳化硅材料、硅材料、氮化铝材料、氮化硼材料、金刚石材料中的任意一种材料。

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