深圳市志凌伟业光电有限公司苏伟获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉深圳市志凌伟业光电有限公司申请的专利一种MXene金属网格复合电磁屏蔽膜的制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117412575B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311322770.3,技术领域涉及:H05K9/00;该发明授权一种MXene金属网格复合电磁屏蔽膜的制备方法是由苏伟;罗智勇设计研发完成,并于2023-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MXene金属网格复合电磁屏蔽膜的制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种MXene金属网格复合电磁屏蔽膜的制备方法,该制备方法包括如下步骤:S1:透明金属网格制备;S2:MXene硫化处理;S3:MXene金属网格复合透明电磁屏蔽膜的制备;S4:复合电磁屏蔽膜后处理;本发明通过黄光减法工艺制备出透明金属铜网格,然后用MXene对金属网格进行修饰,为了改善MXene在金属铜网格上的附着力,先对MXene进行轻微硫化处理,通过Cu‑S键进行更好的附着,通过金属网格和MXene相结合,实现了复合电磁屏蔽膜在屏蔽性能和透明度上的升级,解决了现有金属网格缺陷多、MXene屏蔽膜成本高等产品缺陷,本发明提供的一种MXene金属网格复合透明电磁屏蔽膜的制备方法,为透明电磁屏蔽膜的发展提供了新的思路。
本发明授权一种MXene金属网格复合电磁屏蔽膜的制备方法在权利要求书中公布了:1.一种MXene金属网格复合电磁屏蔽膜的制备方法,其特征在于:该制备方法包括如下步骤: S1:透明金属网格制备:将镀有铜膜的透明基底材料置于黄光机内,经过曝光后,材料表面会形成光刻图案,此时需要对光刻图案进行显影、蚀刻及脱膜后处理,将光刻后的透明基底材料取出,并进行清洗和干燥处理,形成透明金属网格,透明基底材料无需去除,以确保透明金属网格的可操作性; 其中,所述透明金属网格采用黄光减法工艺制备,线宽控制在2-20微米; S2:MXene硫化处理,将MXene粉末放入反应器中,并加入一定量的硫源,将反应器置于气氛炉中,用硫气氛法对MXene粉末进行轻微硫化处理,气氛炉温度控制在60-300℃,使硫源均匀分布于MXene粉末表面,反应完成后,取出MXene粉末,并进行干燥处理; 其中,所述MXene粉末与硫源的质量比为100:1到10000:1,硫源可选单质硫或可分解硫盐; S3:MXene金属网格复合透明电磁屏蔽膜的制备,将步骤S2得到的产物配制成分散液,涂布于透明金属网格表面,制成复合透明电磁屏蔽膜; 其中,所述分散液配制为1%-20%质量分数的分散液; 所述分散液的溶剂配制选用水、乙醇或正己烷的一种; S4:复合电磁屏蔽膜后处理,对复合屏蔽膜进行烘干处理,烘干温度控制在50-90℃,烘干过程采用真空或惰性气体中的一种进行保护; S5:对MXene金属网格复合透明电磁屏蔽膜进行测试和优化,确保具有良好的电磁屏蔽性能和稳定性。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市志凌伟业光电有限公司,其通讯地址为:518000 广东省深圳市龙华区观澜街道大富社区大富工业区11号鹏龙蟠高科技园B栋厂房301、401;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励