如皋市大昌电子有限公司王志敏获国家专利权
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龙图腾网获悉如皋市大昌电子有限公司申请的专利一种高散热效率的高压硅堆获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223993890U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520162767.8，技术领域涉及：H10W40/22；该实用新型一种高散热效率的高压硅堆是由王志敏;黄丽凤;丁晓飞;王庆阳设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高散热效率的高压硅堆在说明书摘要公布了：本实用新型涉及高压硅堆技术领域，且公开了一种高散热效率的高压硅堆，包括封装外壳和硅堆本体，所述封装外壳的内部设置有硅堆本体，所述硅堆本体的一端设置有第一引脚，所述硅堆本体的另一端设置有第二引脚，所述硅堆本体的中间处设置有第三引脚，所述封装外壳的顶部和底部两侧均开设有连接孔，所述封装外壳的左端和右端均开设有通孔，所述第一引脚和第二引脚穿过封装外壳右端上的两个通孔，所述第三引脚穿过封装外壳的左端上的通孔，所述封装外壳的顶部设置有第一散热翅片。本实用新型通过设置第一散热翅片、第一紧固螺栓、连接孔、第二散热翅片和第二紧固螺栓，利用它们之间的相互配合作用，从而可以实现高效散热，提高了散热效率。
本实用新型一种高散热效率的高压硅堆在权利要求书中公布了：1.一种高散热效率的高压硅堆，包括封装外壳1和硅堆本体2，其特征在于：所述封装外壳1的内部设置有硅堆本体2，所述硅堆本体2的一端设置有第一引脚3，所述硅堆本体2的另一端设置有第二引脚4，所述硅堆本体2的中间处设置有第三引脚5，所述封装外壳1的顶部和底部两侧均开设有连接孔7，所述封装外壳1的左端和右端均开设有通孔8，所述第一引脚3和第二引脚4穿过封装外壳1右端上的两个通孔8，所述第三引脚5穿过封装外壳1的左端上的通孔8，所述封装外壳1的顶部设置有第一散热翅片6，所述封装外壳1的底部设置有第二散热翅片10，所述第一散热翅片6的两端均通过第一紧固螺栓9与封装外壳1顶部的两个连接孔7相连接，所述第二散热翅片10的两端均通过第二紧固螺栓11与封装外壳1底部的两个连接孔7相连接。
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