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龙图腾网获悉福建龙夏电子科技有限公司申请的专利一种并联MOSFET合封的DSSD封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223993898U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520345513.X，技术领域涉及：H10W74/10；该实用新型一种并联MOSFET合封的DSSD封装结构是由丘荣贵;赖海波;朱开兴设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种并联MOSFET合封的DSSD封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种并联MOSFET合封的DSSD封装结构，包括：金属基板，承载有合并封装的并联MOSFET；第一漏极焊框和第二漏极焊框，上下对称设置于金属基板上，第一漏极焊框和第二漏极焊框上方设置若干组并联MOSFET，第一漏极焊框和第二漏极焊框分别连接每组并联MOSFET的漏极；第一栅极焊框和第二栅极焊框，设置于金属基板边缘，第一栅极焊框和第二栅极焊框分别通过栅极焊线直线连接每组并联MOSFET的栅极，所述第一栅极焊框和第二栅极焊框的边缘处分别设置栅极引脚；源极焊框，设置于金属基板边缘，源极焊框通过源极焊线直线连接每组并联MOSFET的源极，所述源极焊框连接源极引脚，用于获取MOSFET的共用驱动电压。使所有并联MOSFET共享一个驱动电压，降低驱动电路设计复杂性和成本。

本实用新型一种并联MOSFET合封的DSSD封装结构在权利要求书中公布了：1.一种并联MOSFET合封的DSSD封装结构，其特征在于，包括： 金属基板，承载有合并封装的并联MOSFET； 第一漏极焊框D1和第二漏极焊框D2，上下对称设置于金属基板上，所述第一漏极焊框D1和第二漏极焊框D2上方设置若干组并联MOSFET，第一漏极焊框D1和第二漏极焊框D2分别连接每组并联MOSFET的漏极，所述第一漏极焊框D1和第二漏极焊框D2的边缘分别设置若干根漏极引脚； 第一栅极焊框G1和第二栅极焊框G2，设置于金属基板边缘，第一栅极焊框G1和第二栅极焊框G2分别通过栅极焊线直线连接每组并联MOSFET的栅极，所述第一栅极焊框G1和第二栅极焊框G2的边缘处分别设置栅极引脚； 源极焊框S，设置于金属基板边缘，源极焊框S通过源极焊线直线连接每组并联MOSFET的源极，所述源极焊框S连接源极引脚，用于获取MOSFET的共用驱动电压。

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