三星电子株式会社金熙中获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110797322B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910708940.9，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权半导体存储器装置是由金熙中;李基硕;金根楠;黄有商设计研发完成，并于2019-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：半导体装置可以包括堆叠结构，该堆叠结构包括竖直堆叠在衬底上的多个层，以及竖直延伸以穿透堆叠结构的多个栅电极。多个层中的每一个可包括多个半导体图案，其沿第一方向平行延伸；位线，其电连接到半导体图案并沿与第一方向相交的第二方向延伸；第一气隙，其在位线上；以及数据存储元件，其电连接到半导体图案中的对应的一个。第一气隙插入在多个层中的第一层的位线和多个层中的第二层的位线之间。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，包括： 多个栅电极；和 堆叠结构，其包括竖直堆叠在衬底上的多个层，所述多个栅电极竖直延伸，使得所述多个栅电极穿透所述堆叠结构，所述多个层中的每一层包括： 多个半导体图案，其沿第一方向平行延伸，所述半导体图案中的每一个包括第一杂质区和沟道区， 位线，其电连接到所述半导体图案的所述第一杂质区并在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向相交， 第一气隙，其介于所述沟道区和所述位线之间以使得所述第一气隙位于所述多个层中的第一层的位线与所述多个层中的第二层的位线之间，以及 数据存储元件，其电连接到所述半导体图案中的对应的一个半导体图案。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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