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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管布置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111739886B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010211133.9，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管布置是由A.芬尼;C.M.博扬恰努设计研发完成，并于2020-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管布置在说明书摘要公布了：公开了具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管布置。公开了晶体管布置和具有晶体管布置的电子电路。晶体管布置包括：漂移与漏极区10，其被布置在半导体本体100中并且连接到漏极节点D；至少一个负载晶体管单元201，其包括集成在半导体本体100的第一有源区110中的源极区211；至少一个感测晶体管单元202，其包括集成在半导体本体100的第二有源区120中的源极区212；第一源极节点S1，其电耦合到至少一个负载晶体管单元201的源极区211；第二源极节点S2，其电耦合到至少一个感测晶体管单元202的源极区212；以及补偿电阻器40，其被连接在至少一个感测晶体管单元202的源极区212和第二源极节点S2之间。补偿电阻器40被集成在半导体本体100中并且包括电阻导体41，并且电阻导体41包括掺杂的半导体材料。

本发明授权具有负载晶体管和感测晶体管的晶体管布置在权利要求书中公布了：1.一种晶体管布置，包括负载晶体管Q1和感测晶体管Q2， 其中负载晶体管Q1和感测晶体管Q2中的每个包括相应的漂移与漏极区10的部分，相应的漂移与漏极区10的部分被布置在半导体本体100中并且被连接到漏极节点D； 其中负载晶体管Q1进一步包括： 至少一个负载晶体管单元201，其包括集成在半导体本体100的第一有源区110中的源极区211；以及 第一源极节点S1，其电耦合到所述至少一个负载晶体管单元201的源极区211，以及 其中感测晶体管Q2进一步包括： 至少一个感测晶体管单元202，其包括集成在半导体本体100的第二有源区120中的源极区212；以及 第二源极节点S2，其电耦合到所述至少一个感测晶体管单元202的源极区212；和 补偿电阻器40，其被连接在所述至少一个感测晶体管单元202的源极区212和第二源极节点S2之间， 其中，补偿电阻器40被集成在半导体本体100中并且包括电阻导体41，以及 其中，电阻导体41包括掺杂的半导体材料， 其中在导通状态下，负载晶体管Q1包括产生自负载晶体管Q1的如下的部分的第一内部电阻RINT1：该部分位于在漏极节点D与所述至少一个负载晶体管单元201的源极区211之间的半导体本体100的内部并且包括所述至少一个负载晶体管单元201的源极区211， 其中负载晶体管Q1包括产生自负载晶体管Q1的在所述至少一个负载晶体管单元201的源极区211与第一源极节点S1之间的部分的第一外部电阻REXT1， 其中在导通状态下，感测晶体管Q2包括产生自感测晶体管Q2的如下的部分的第二内部电阻RINT2：该部分位于在漏极节点D与所述至少一个感测晶体管单元202的源极区212之间的半导体本体100的内部并且包括所述至少一个感测晶体管单元202的源极区212， 其中感测晶体管Q2包括产生自感测晶体管Q2的在所述至少一个负载晶体管单元201的源极区211与第二源极节点S2之间的部分的第二外部电阻REXT2，以及 其中第二外部电阻REXT2和第一外部电阻REXT1之间的第一比率不同于第二内部电阻RINT2和第一内部电阻RINT1之间的第二比率。

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