三星电子株式会社朴商植获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括圆角层的半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112652606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011078815.3，技术领域涉及：H10W70/62；该发明授权包括圆角层的半导体封装是由朴商植;金珉秀设计研发完成，并于2020-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括圆角层的半导体封装在说明书摘要公布了：半导体封装包括基底基板，该基底基板具有第一半导体基板和覆盖第一半导体基板的顶侧的第一保护层。第一圆角层填充第一保护层和第一半导体芯片之间的空间。基底基板的第一侧表面在第一方向上延伸，第二侧表面和第三侧表面在第二方向上延伸。基底基板包括两个拐角区域和在拐角区域之间的侧面区域。侧面区域中的第一保护层包括与第一半导体芯片重叠的第一侧面沟槽。第一圆角层的一部分填充第一侧面沟槽。
本发明授权包括圆角层的半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装，包括： 基底基板，包括第一半导体基板、至少部分地覆盖所述第一半导体基板的顶侧的第一保护层、以及穿透所述第一半导体基板和所述第一保护层两者的第一穿通孔； 在所述第一保护层的顶侧上的第一连接焊盘，所述第一连接焊盘连接到所述第一穿通孔； 第一半导体芯片，设置在所述第一连接焊盘上并与所述第一连接焊盘电连接；以及 第一圆角层，至少部分地填充所述第一保护层和所述第一半导体芯片之间的空间， 其中，所述基底基板还包括在第一方向上延伸的第一侧表面，以及分别从所述第一侧表面的端部在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的第二侧表面和第三侧表面， 其中，所述基底基板还包括：第一拐角区域，其包括由所述第一侧表面和所述第二侧表面形成的第一拐角；第二拐角区域，由所述第一侧表面和所述第三侧表面形成；以及在所述第一拐角区域和所述第二拐角区域之间的侧面区域， 其中，在所述侧面区域中的所述第一保护层包括至少部分地与所述第一半导体芯片重叠的第一侧面沟槽，以及 其中所述第一圆角层的第一部分至少部分地填充所述第一侧面沟槽， 所述第一侧面沟槽的深度小于所述第一保护层的未形成有所述第一侧面沟槽的部分的厚度， 所述第一侧面沟槽的底侧的高度高于所述第一半导体基板的所述顶侧的高度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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