富士电机株式会社洼内源宜获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786556B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011061378.4，技术领域涉及：H10W72/50；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由洼内源宜设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供半导体装置及半导体装置的制造方法。正面的正上方不受空间限制。半导体装置具有具备外部连接端子24的半导体模块和导通基板40，该导通基板40具备贯通主面而形成的端子孔41，外部连接端子24的另一端部从端子孔41的入口41a向出口41b嵌合到端子孔41而被焊料50固定，导通基板40与外部连接端子24电连接。此外，在端子孔41形成有卡止另一端部针对端子孔41的插通的作为阶梯差42的卡止部。外部连接端子24的另一端部针对端子孔的插通被卡止部卡合而使外部连接端子24的另一端部留在端子孔。因此，以不从导通基板突出的方式接合到导通基板。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具有半导体模块和第一导通基板， 所述半导体模块具有半导体元件和第一外部连接端子，所述第一外部连接端子的第一一端部与所述半导体元件电连接，所述第一外部连接端子的第一另一端部从所述半导体元件延伸出， 所述第一导通基板具备贯通主面而形成的第一端子孔，所述第一另一端部从所述第一端子孔的第一入口向第一出口嵌合到所述第一端子孔并被所述第一端子孔内的焊料固定，所述第一导通基板与所述第一外部连接端子电连接， 在所述第一端子孔的内周形成作为阶梯差、锥形部或突起的第一卡止部，所述第一另一端部相对于所述第一端子孔的插通被所述第一卡止部卡止而使所述第一另一端部留在所述第一端子孔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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