世界先进积体电路股份有限公司林鑫成获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951901B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911171930.2，技术领域涉及：H10D64/00；该发明授权半导体结构是由林鑫成;周政伟设计研发完成，并于2019-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：一种半导体结构，包含：衬底、于衬底上的栅极结构、以及于此栅极结构的两侧的源极结构及漏极结构，此栅极结构包含设置于衬底上的栅极电极以及于栅极电极上的栅极金属层，此栅极金属层至少具有一缺口，且缺口露出下方的栅极电极，此源极结构的电位与栅极结构的电位不同。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 一衬底； 一栅极结构，于所述衬底上，其中所述栅极结构包括： 一栅极电极，于所述衬底上；以及 一栅极金属层，于所述栅极电极上，其中所述栅极电极和所述栅极金属层投影到所述衬底的上视图中，所述栅极金属层包含一U型部分与在所述U型部分的侧壁之间的一缺口，其中所述U型部分包含一对侧壁部与一连接部连接该对侧壁部，且该对侧壁部分别与所述栅极电极部分重叠，且所述缺口暴露出下方的所述栅极电极；以及 一漏极结构及一源极结构，于所述栅极结构的两侧，其中所述栅极结构的电位与所述源极结构的电位不同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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