三星电子株式会社李炅奂获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利存储器件和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113035867B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011538761.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器件和半导体器件是由李炅奂;金容锡;金炫哲;山田悟;柳成原;洪载昊设计研发完成，并于2020-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器件和半导体器件在说明书摘要公布了：本发明涉及存储器件和半导体器件。存储器件可以包括源极区域、沟道、栅极绝缘层图案、选择栅极图案、第一栅极图案、第二栅极图案和漏极区域。源极区域可以在衬底的上部处包括具有第一导电类型的第一杂质。沟道可以接触源极区域。每个沟道可以在垂直于衬底的上表面的垂直方向上延伸。选择栅极图案可以在沟道的侧壁上。第一栅极图案可以在沟道的侧壁上。第一栅极图案可以是所有的多个沟道的公共电极。第二栅极图案可以在沟道的侧壁上。漏极区域可以在每个沟道的上部处包括具有不同于第一导电类型的第二导电类型的第二杂质。
本发明授权存储器件和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，包括： 源极区域，在衬底的上部处包括具有第一导电类型的第一杂质； 接触所述源极区域的多个沟道，所述多个沟道中的每个在垂直于所述衬底的上表面的垂直方向上延伸，并且所述多个沟道包括第一沟道和第二沟道； 覆盖所述第一沟道的一部分的栅极绝缘层图案； 在所述栅极绝缘层图案上的选择栅极图案，所述选择栅极图案在平行于所述衬底的所述上表面的第一方向上延伸； 在所述栅极绝缘层图案上的第一栅极图案； 在所述栅极绝缘层图案上的第二栅极图案，所述第二栅极图案平行于所述选择栅极图案延伸；以及 漏极区域，在所述第一沟道的上部处包括具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二杂质， 其中所述选择栅极图案、所述第一栅极图案和所述第二栅极图案在所述垂直方向上彼此间隔开， 其中所述源极区域和所述第一栅极图案中的至少一个具有板形状，并且是所述第一沟道和所述第二沟道的公共电极，以及 其中所述第一栅极图案包括具有第一功函数的第一导电材料，并且所述第二栅极图案包括具有不同于所述第一功函数的第二功函数的第二导电材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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