日月光半导体制造股份有限公司张皇贤获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113611679B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110872342.2，技术领域涉及：H10W72/00；该发明授权半导体封装装置及其制造方法是由张皇贤设计研发完成，并于2021-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了半导体封装装置及其制造方法，通过设计半导体封装装置包括：重布线层，包括上重布线层及下重布线层；加固层，设置于上重布线层及下重布线层之间，加固层具有接合介面；第一电子元件和第二电子元件，设置于重布线层上。通过加固层对重布线层的刚性支撑，并且，加固层能够提供对重布线层的拉力，以降低重布线层的翘曲，进而降低因重布线层翘曲而发生导电线路断裂的风险。
本发明授权半导体封装装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装装置，包括： 重布线层，包括上重布线层及下重布线层； 加固层，设置于所述上重布线层及所述下重布线层之间，所述加固层具有接合介面； 第一电子元件和第二电子元件，设置于所述重布线层上； 所述加固层包括上加固层和下加固层，所述上加固层通过混合键合接合所述下加固层，形成所述接合介面； 所述上加固层包括在所述接合介面上依次设置的第一子加固层和第二子加固层，所述第二子加固层设置于所述第一子加固层和所述上重布线层之间，所述第二子加固层与所述上重布线层的粘合度大于所述第一子加固层与所述上重布线层的粘合度； 所述加固层设置有线路层，所述线路层电连接所述上重布线层及所述下重布线层； 所述线路层在所述接合介面具有空隙； 所述线路层在所述接合介面具有错位结构； 所述重布线层还包括第一导孔，所述加固层设置有第二导孔，所述第二导孔的孔径小于所述第一导孔的孔径。
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