三星电子株式会社金炫哲获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括半导体图案的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113690239B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011451468.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权包括半导体图案的半导体装置是由金炫哲;金容锡;金熙中;山田悟;柳成原;李炅奂;洪载昊设计研发完成，并于2020-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括半导体图案的半导体装置在说明书摘要公布了：公开了一种半导体装置，所述半导体装置包括第一导线和与第一导线间隔开的第二导线。半导体图案设置在第一导线与第二导线之间。半导体图案包括具有第一导电类型杂质的、设置为与第一导线相邻的第一半导体图案。具有第二导电类型杂质的第二半导体图案设置为与第二导线相邻。第三半导体图案设置在第一半导体图案与第二半导体图案之间。第三半导体图案包括设置为与第一半导体图案相邻的第一区域和设置在第一区域与第二半导体图案之间的第二区域。第一区域和第二区域中的至少一个包括本征半导体层。第一栅极线与第一区域交叉，并且第二栅极线与第二区域交叉。
本发明授权包括半导体图案的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 第一导线； 第二导线，与第一导线间隔开，并且在第一方向上延伸，其中，第一方向平行于基底的上表面； 半导体图案，设置在第一导线与第二导线之间，并且在第二方向上延伸，其中，第二方向平行于基底的上表面且与第一方向交叉，半导体图案包括：第一半导体图案，设置为与第一导线相邻，第一半导体图案具有第一导电类型杂质；第二半导体图案，设置为与第二导线相邻，第二半导体图案具有与第一导电类型杂质不同的第二导电类型杂质；以及第三半导体图案，设置在第一半导体图案与第二半导体图案之间，第三半导体图案包括设置为与第一半导体图案相邻的第一区域和设置在第一区域与第二半导体图案之间的第二区域，其中，第一区域和第二区域中的至少一个包括本征半导体层； 第一栅极线，与第一区域交叉，并且在第三方向上延伸，其中，第三方向与第一方向和第二方向交叉；以及 第二栅极线，与第二区域交叉，并且在第三方向上延伸，并且 其中，第二栅极线在第二方向上与第一栅极线相邻。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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