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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利超结功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113808946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010537282.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权超结功率器件及其制备方法是由季明华;刘聪慧;王欢;杨龙康设计研发完成，并于2020-06-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本超结功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种超结功率器件及其制备方法，在制备超结功率器件时，可在形成第一导电类型外延层之后通过添加超结掩膜版、在形成第二导电类型阱区之前或之后直接通过阱区掩膜版，以及在形成接触结构之前或之后直接通过接触掩膜版，即可在第一导电类型外延层内注入第二导电类型杂质，以依次形成第二导电类型浮岛及第二导电类型柱，该制备工艺无需进行多次外延工艺，且无需进行深沟道刻蚀，因此制备工艺简单、成本低，且成品率及可靠性较高。本发明的超结功率器件同时具有第二导电类型浮岛及第二导电类型柱，在断路状态，可提高功率器件的击穿电压，降低米勒电容和输入电容，且在导通状态，可降低器件的导通电阻。

本发明授权超结功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超结功率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 形成第一导电类型外延层； 于所述第一导电类型外延层内形成沟槽栅极结构，所述沟槽栅极结构包括栅氧化层及栅极导电层； 通过阱区掩膜版，于所述沟槽栅极结构之间的所述第一导电类型外延层内，形成第二导电类型阱区； 通过源区掩膜版，于所述第二导电类型阱区内，形成第一导电类型源区； 通过接触掩膜版，形成接触结构，所述接触结构贯穿所述第一导电类型源区，且与所述第二导电类型阱区相接触，其中，所述接触结构包括位于所述第二导电类型阱区内的第二导电类型接触区及贯穿所述第一导电类型源区与所述第二导电类型接触区相接触的金属接触区； 形成第二导电类型浮岛，所述第二导电类型浮岛位于所述第一导电类型外延层内，且所述第二导电类型浮岛的上表面及下表面均与所述第一导电类型外延层相接触； 形成第二导电类型柱，所述第二导电类型柱位于所述第一导电类型外延层内，并位于所述第二导电类型浮岛的正上方，所述第二导电类型浮岛与所述第二导电类型柱之间的所述第一导电类型外延层的厚度范围大于0.1μm，且所述第二导电类型柱与所述第二导电类型阱区相接触，并与所述第二导电类型接触区相接触； 其中，所述沟槽栅极结构、所述第二导电类型阱区、所述第一导电类型源区、所述接触结构、所述第二导电类型浮岛、所述第二导电类型柱均位于同一所述第一导电类型外延层内；所述第二导电类型浮岛及第二导电类型柱为在形成所述接触结构之前，基于所述接触掩膜版在所述第一导电类型外延层内依次注入第二导电类型杂质形成，使得所述第二导电类型浮岛及所述第二导电类型柱为基于同一掩膜版依次制备形成，且所述第二导电类型浮岛、所述第二导电类型柱、所述第二导电类型接触区及所述金属接触区具有相同的宽度，且通过所述接触结构的退火步骤，同时完成对所述第二导电类型浮岛及第二导电类型柱的退火工艺。

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