三星电子株式会社文奏铉获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利可变电阻存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110556950.2，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权可变电阻存储器件是由文奏铉;郭泳珠;柳承翰设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本可变电阻存储器件在说明书摘要公布了：一种可变电阻存储器件包括：第一导电线；布置在第一导电线上的第二导电线；在第一导电线和第二导电线之间的交叉处的第一单元结构，每个第一单元结构包括开关图案和可变电阻图案；第一掩埋结构，填充第一导电线之间的第一沟槽；以及第二掩埋结构，填充第一单元结构之间的第二沟槽。每个第一掩埋结构包括覆盖对应的第一沟槽的侧壁的第一衬垫图案、设置在第一衬垫图案上以及在所述对应的第一沟槽中的第一填充图案、以及密封所述对应的第一沟槽的第一覆盖图案。第二掩埋结构在所述多个第二沟槽中延伸，并与第一掩埋结构的第一覆盖图案连接。
本发明授权可变电阻存储器件在权利要求书中公布了：1.一种可变电阻存储器件，包括： 多条第一导电线，在第一方向上延伸； 多条第二导电线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并布置在所述多条第一导电线上； 多个第一单元结构，在所述多条第一导电线和所述多条第二导电线之间的交叉处，每个所述第一单元结构包括开关图案和可变电阻图案； 多个第一掩埋结构，填充所述多条第一导电线之间的多个第一沟槽并在所述第一方向上延伸；以及 多个第二掩埋结构，填充所述多个第一单元结构之间的多个第二沟槽， 其中所述多个第一掩埋结构中的每个包括： 第一衬垫图案，覆盖所述多个第一沟槽中的对应的第一沟槽的侧壁； 第一填充图案，设置在所述第一衬垫图案上以及在所述对应的第一沟槽中；以及 第一覆盖图案，构造为密封其中提供所述第一衬垫图案和所述第一填充图案的所述对应的第一沟槽，以及 其中所述多个第二掩埋结构在所述多个第二沟槽中延伸，并与所述多个第一掩埋结构的多个第一覆盖图案连接， 其中，所述第一覆盖图案设置在所述第一导电线之间，并且连接到所述第一导电线之间的所述第二掩埋结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励