三星电子株式会社李炅奂获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972284B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110817892.4，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体器件是由李炅奂;金容锡;金炫哲;柳成原;洪载昊设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括：在衬底上的栅电极；在衬底上围绕栅电极的侧壁的沟道；以及源漏电极，在衬底上，在栅电极的在平行于衬底的上表面的第一方向上的相对侧。在平行于衬底的上表面的水平方向上从栅电极到源漏电极的沟道的厚度不是恒定的，而是在垂直于衬底的上表面的垂直方向上变化。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 在衬底上的栅电极； 在所述衬底上的沟道，所述沟道围绕所述栅电极的侧壁； 源漏电极，在所述衬底上，在所述栅电极的在平行于所述衬底的上表面的第一方向上的相对侧；以及 阻挡图案，在所述源漏电极的侧壁和下表面上， 其中在水平方向上从所述栅电极到所述源漏电极的所述沟道的厚度不是恒定的，而是在垂直方向上变化，所述水平方向平行于所述衬底的所述上表面，所述垂直方向垂直于所述衬底的所述上表面， 其中，所述源漏电极和所述阻挡图案形成源漏电极结构，以及 其中，所述沟道的第一部分在所述第一方向上的厚度大于所述沟道的第二部分在所述第一方向上的厚度，且所述沟道的所述第一部分与所述源漏电极结构接触，并且所述沟道的所述第二部分不与所述源漏电极结构接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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