美光科技公司G·杨获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于形成垂直晶体管阵列和存储器单元阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121801B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110989713.5，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权用于形成垂直晶体管阵列和存储器单元阵列的方法是由G·杨设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于形成垂直晶体管阵列和存储器单元阵列的方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及用于形成垂直晶体管阵列和存储器单元阵列的方法。一种用于形成垂直晶体管阵列的方法，其包括形成支柱，所述支柱个别地包括上源极漏极区、在所述上源极漏极区垂直下方的沟道区，和在所述上源极漏极区上方的牺牲材料。中介材料围绕所述支柱中的个别者的所述牺牲材料。所述中介材料和所述牺牲材料包括彼此不同的组合物。水平伸长且间隔的导电栅极线可操作地个别形成在所述个别支柱的所述沟道区旁边。移除所述牺牲材料以暴露所述个别支柱的所述上源极漏极区，且从而在所述中介材料中所述个别支柱的所述上源极漏极区正上方形成开口。
本发明授权用于形成垂直晶体管阵列和存储器单元阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成垂直晶体管阵列的方法，其包括： 形成支柱，所述支柱个别地包括上源极漏极区、在所述上源极漏极区垂直下方的沟道区，和在所述上源极漏极区上方的牺牲材料；中介材料围绕所述支柱中的个别者的所述牺牲材料，所述中介材料和所述牺牲材料包括彼此不同的组合物； 在个别所述支柱的所述沟道区旁边可操作地个别形成水平伸长且间隔的导电栅极线； 移除所述牺牲材料以暴露个别所述支柱的所述上源极漏极区，且从而在所述中介材料中个别所述支柱的所述上源极漏极区正上方形成开口； 在所述开口中的个别者中形成金属材料，其直接抵靠个别所述支柱的所述上源极漏极区，且在所述开口的横向外侧在所述中介材料的顶上，在所述中介材料顶上的所述金属材料使在所述个别开口中的所述金属材料互连；及 往回移除所述金属材料以具有不高于所述中介材料的最上表面的最上表面，并将其断开以免使在所述个别开口中的所述金属材料互连，且从而在所述个别开口中形成横向隔离的个别金属材料插塞。
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