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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121969B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110590854.X，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体存储装置是由山部和治设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式提供能够适当地制造的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：基板；多个第一导电层，在与基板的表面交叉的第一方向上排列；第一半导体层，沿第一方向延伸，与多个第一导电层对置；第一栅极绝缘膜，沿第一方向延伸，覆盖第一半导体层的外周面；第一绝缘层，沿第一方向延伸，外周面被第一半导体层覆盖；以及第二导电层，与多个第一导电层相比距基板远，与第一半导体层的第一方向的一端连接。第一半导体层具备与多个第一导电层对置的第一区域和与第一区域相比距基板远的第二区域。第二导电层与第一半导体层的第二区域的内周面及外周面连接，与第一绝缘层的第一方向的一端接触。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 第一芯片，具有半导体基板和设置于所述半导体基板的表面的晶体管； 第二芯片，与所述第一芯片贴合；以及 电极， 所述第二芯片具有： 多个第一导电层，在第一方向上排列； 第一半导体层，为筒状，沿所述第一方向延伸，与所述多个第一导电层对置； 第一绝缘膜，沿所述第一方向延伸，覆盖所述第一半导体层的外周面； 第一绝缘层，沿所述第一方向延伸，设置于所述第一半导体层的内部，外周面被所述第一半导体层覆盖；和 第二导电层，在所述第一方向上与所述多个第一导电层相比距所述半导体基板远，与所述第一半导体层的所述第一方向的一端连接， 所述电极设置于所述第一芯片与所述第二芯片的贴合面，将所述第一半导体层的所述第一方向的另一端与所述晶体管电连接， 所述第一半导体层具备： 第一区域，与所述多个第一导电层对置；以及 第二区域，与所述第一区域相比距所述半导体基板远，并且包含第一导电型的杂质， 所述第二导电层与所述第一半导体层的第二区域的内周面、外周面及上端部接触，并与所述第一绝缘层的一端接触， 所述第二芯片中不包含半导体基板， 所述第二导电层为源极层。

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