爱思开海力士有限公司张晶植获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利包括多个存储块的半导体存储器装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188343B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110360774.5，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权包括多个存储块的半导体存储器装置及其制造方法是由张晶植设计研发完成，并于2021-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括多个存储块的半导体存储器装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种包括多个存储块的半导体存储器装置及其制造方法。一种半导体存储器装置可以包括多个存储块和至少一个绝缘桥部。所述多个存储块可以通过彼此平行的多个狭缝限定。所述至少一个绝缘桥部可以形成在位于多个存储块中的存储块的至少一侧的至少一个狭缝中，以支撑相邻的存储块。
本发明授权包括多个存储块的半导体存储器装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括： 多个存储块，所述多个存储块由多个狭缝划分，所述多个狭缝通过均匀的间隙彼此平行地布置；以及 至少一个绝缘桥部，所述至少一个绝缘桥部形成在所述多个存储块中的每一个存储块的两侧的所述狭缝中的每一个中，以支撑相邻的存储块， 其中，所述多个存储块中的每一个包括： 层叠结构，所述层叠结构包括交替层叠的绝缘层和导电层， 其中，所述导电层在所述狭缝的侧表面处相对于所述绝缘层被过蚀刻，并且 其中，所述绝缘桥部在所述狭缝的长度方向上的宽度等于或小于所述导电层的过蚀刻量的两倍。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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