中国科学技术大学左成杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利高频高Q值的声波谐振器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114221633B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111553417.7，技术领域涉及：H03H9/17；该发明授权高频高Q值的声波谐振器及其制作方法是由左成杰;戴忠斌;刘雪彦设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本高频高Q值的声波谐振器及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种高频高Q值的声波谐振器及其制作方法，所述声波谐振器包括：衬底；设置于所述衬底一侧表面的释放层；设置于所述释放层背离所述衬底表面的压电层；设置于所述压电层背离所述释放层表面的多个金属电极；其中，所述释放层用于所述压电层与所述衬底之间的释放；当所述释放层释放时，在所述衬底与所述压电层之间形成刻蚀沟槽，以得到x‑cut压电薄膜‑40～+40度下S1振动模态的高频高Q值的声波谐振器。本方案通过旋转欧拉角，在x‑cut压电薄膜上激发出S1振动模态，特定角度‑40～+40度下实现品质因数Q超过5000甚至上万的高频高Q值的声波谐振器，以满足当前5G、6G频段下对滤波器高频率、高Q值的性能要求。
本发明授权高频高Q值的声波谐振器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高频高Q值的声波谐振器，其特征在于，包括： 衬底； 设置于所述衬底一侧表面的释放层； 设置于所述释放层背离所述衬底表面的压电层； 设置于所述压电层表面的多个金属电极；所述金属电极形成的电场方向与所述压电层全局坐标系下的+y轴方向呈欧拉角，所述欧拉角的取值为-90~+90度；所述金属电极基于所述欧拉角生长在所述压电层表面； 其中，所述释放层用于所述压电层与所述衬底之间的释放；当所述释放层释放时，在所述衬底与所述压电层之间形成一个刻蚀沟槽，所述刻蚀沟槽上方的压电层整体悬空，两侧存在贯穿所述压电层和所述释放层的孔隙，以得到x-cut压电薄膜特定角度-40~+40度下S1振动模态的高频高Q值的声波谐振器，其中，高频高Q值超过5000。
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