合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司崔容豪获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利阵列基板、显示面板及显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114335029B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210016332.3,技术领域涉及:H10D86/60;该发明授权阵列基板、显示面板及显示装置是由崔容豪;玄丽燕;胡迎宾;倪柳松;赵策设计研发完成,并于2022-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板、显示面板及显示装置在说明书摘要公布了:本公开涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置;该阵列基板包括第一驱动薄膜晶体管、第二驱动薄膜晶体管及连接导线;第一驱动薄膜晶体管包括第一有源层,第一有源层包括第一沟道区域及位于其两端的第一导体化区域和第二导体化区域;第二驱动薄膜晶体管包括第二有源层,第二有源层包括第二沟道区域及位于其两端的第三导体化区域和第四导体化区域;连接导线从第三导体化区域延伸至第一导体化区域,且其相对两端对应与第三导体化区域和第一导体化区域连接。该阵列基板减小了布线区域的面积,提高了开口率。
本发明授权阵列基板、显示面板及显示装置在权利要求书中公布了:1.一种阵列基板,其特征在于,包括: 第一驱动薄膜晶体管,包括第一有源层,所述第一有源层包括:第一沟道区域,以及位于所述第一沟道区域两端的第一导体化区域和第二导体化区域; 第二驱动薄膜晶体管,设于所述第一驱动薄膜晶体管的一侧,所述第二驱动薄膜晶体管包括第二有源层,所述第二有源层包括:第二沟道区域,以及位于所述第二沟道区域两端的第三导体化区域和第四导体化区域; 连接导线,从所述第三导体化区域延伸至所述第一导体化区域,且所述连接导线的相对两端对应与第三导体化区域和所述第一导体化区域连接; 两条数据线,并排设于所述第一驱动薄膜晶体管和所述第二驱动薄膜晶体管之间,且沿第一方向延伸; 第一开关薄膜晶体管和第二开关薄膜晶体管,所述第一开关薄膜晶体管和所述第二开关薄膜晶体管包括第三栅极、第三有源层、第三源极和第三漏极,第三有源层包括:第三沟道区域,以及位于所述第三沟道区域两端的第五导体化区域和第六导体化区域,所述第五导体化区域与所述第三源极有交叠并连接,所述第六导体化区域与所述第三漏极有交叠并连接;所述第一开关薄膜晶体管的所述第三源极与所述第一驱动薄膜晶体管的第一栅极有交叠并连接,所述第二开关薄膜晶体管的所述第三源极与所述第二驱动薄膜晶体管的第二栅极有交叠并连接,两个所述第三漏极对应与两条所述数据线连接; 栅线,连接于所述第三栅极,所述栅线沿第二方向延伸,所述第二方向与所述第一方向相交; 所述第一栅极包括: 第一栅极本体部,与所述第一沟道区域相对设置; 第一栅极延伸部,连接于所述第一栅极本体部,且位于所述第一栅极本体部的靠近所述数据线的一侧; 所述第二栅极包括: 第二栅极本体部,与所述第二沟道区域相对设置; 第二栅极延伸部,连接于所述第二栅极本体部,且位于所述第二栅极本体部的靠近所述数据线的一侧; 所述第三有源层的延伸方向与所述栅线的延伸方向相交,所述第一开关薄膜晶体管的所述第三源极与所述第一栅极延伸部的靠近数据线的端部重叠并连接,所述第二开关薄膜晶体管的所述第三源极与所述第二栅极延伸部的靠近数据线的端部重叠并连接。
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