买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉佳能株式会社申请的专利光电转换设备、光电转换系统和可移动体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497096B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111265276.9，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权光电转换设备、光电转换系统和可移动体是由爱满·阿布德尔加夫;岩田旬史;森本和浩设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电转换设备、光电转换系统和可移动体在说明书摘要公布了：本发明提供一种光电转换设备、光电转换系统和可移动体。光电转换设备包括多个雪崩光电二极管。所述多个雪崩光电二极管中的各雪崩光电二极管包括由配置在第一深度处的第一导电型的第一半导体区域、以及配置在比所述第一深度深的第二深度处的与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体区域形成的雪崩倍增单元。在比第二导电型的第三半导体区域浅的位置处配置导电型和杂质浓度至少之一与所述第三半导体区域不同的第四半导体区域，并且所述第三半导体区域和所述第四半导体区域之间的边界部的深度比所述雪崩倍增单元深。

本发明授权光电转换设备、光电转换系统和可移动体在权利要求书中公布了：1.一种光电转换设备，包括： 半导体层，其具有第一面和第二面，所述第二面与所述第一面相对；以及 多个雪崩光电二极管，其被配置在所述半导体层上并且包括第一雪崩光电二极管和第二雪崩光电二极管； 其中，所述多个雪崩光电二极管中的各雪崩光电二极管包括雪崩倍增单元，所述雪崩倍增单元由与信号电荷相同导电型的载流子被视为多数载流子的第一导电型的第一半导体区域、以及与所述第一导电型不同的第二导电型的第二半导体区域形成，其中，所述第一半导体区域配置在第一深度处，所述第二半导体区域相对于所述第一面配置在比所述第一深度深的第二深度处， 其中，在所述第一雪崩光电二极管和所述第二雪崩光电二极管之间配置所述第二导电型的第三半导体区域， 其中，第四半导体区域是所述第二导电型的半导体区域且其中杂质浓度比所述第二导电型的所述第三半导体区域的杂质浓度低、或者是所述第一导电型的半导体区域，并且被配置在所述第一雪崩光电二极管和所述第二雪崩光电二极管之间，相对于所述第一面比所述第三半导体区域浅的位置处， 其中，所述第一半导体区域包括位于离所述半导体层的所述第一面更近的位置处的顶面和位于离所述半导体层的所述第一面更远的位置处的底面， 其中，所述第三半导体区域包括位于离所述半导体层的所述第一面更近的位置处的顶面和位于离所述半导体层的所述第一面更远的位置处的底面， 其中，所述第三半导体区域的顶面比所述第一半导体区域的底面相对于所述第一面更深，以及 其中，所述第四半导体区域被配置在所述第三半导体区域的顶面与所述第一面之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人佳能株式会社，其通讯地址为：日本东京都大田区下丸子3丁目30番2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。