北京航空航天大学金辉获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种单粒子注入模拟方法及单粒子注入模拟设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114509655B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111665125.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种单粒子注入模拟方法及单粒子注入模拟设备是由金辉;王碧;赵巍胜;王昭昊设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单粒子注入模拟方法及单粒子注入模拟设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单粒子注入方法及单粒子注入设备，涉及存储领域，所述单粒子注入方法，适用于单粒子注入设备，所述单粒子注入设备结构包括主机以及至少一个单粒子注入装置，包括：主机接收启动指令，并将启动指令传递至单粒子注入装置，响应于所述启动指令，至少一个单粒子注入装置产生场效应，并将所述场效应传递至接收目标，响应于所述场效应，接收目标电位状态发生转变。可见，本发明的实施例提供了一种单粒子注入方法及单粒子注入设备，通过单粒子注入装置对接收目标释放并传递场效应，通过场效应诱发接收目标的半导体器件电位状态高低状态的转变。并且对场效应释放以及强度和周期可以根据需求控制，以实现人工单粒子注入。
本发明授权一种单粒子注入模拟方法及单粒子注入模拟设备在权利要求书中公布了：1.一种单粒子注入模拟方法，其特征在于，适用于单粒子注入模拟设备，所述单粒子注入模拟设备结构包括主机以及至少一个单粒子注入模拟装置， 所述主机用以接收和传递数据信息， 所述单粒子注入模拟装置用以释放场效应改变接收目标的电位状态， 所述方法包括： 所述主机接收启动指令，并将所述启动指令传递至所述单粒子注入模拟装置； 响应于所述启动指令，所述至少一个单粒子注入模拟装置产生场效应，并将所述场效应传递至接收目标； 响应于所述场效应，所述接收目标电位状态发生转变； 所述接收目标为磁存储器； 响应于磁场效应，所述磁存储器的磁隧道结的自由层磁矩方向由第一方向转变为第二方向，所述第一方向与所述第二方向相反； 通过设定特定的磁场效应强度以及激发频率来指定所述磁存储器中一个所述磁隧道结或区域内的所述磁隧道结的阻态发生转变。
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